雷鋒網最新消息，今日上午，全球第二大晶圓廠Global Foundries在成都高新區(qū)正式宣布，將攜手成都市成立合資公司——格芯（成都）集成電路制造有限公司，并在成都建立全新的合資晶圓廠。

據(jù)雷鋒網了解，格芯成都是中國最大的12寸晶圓廠，投資規(guī)模累計超過100億美元，預計年產量將達到100萬片。按照其官方的計劃，第一期建設CMOS工藝產線，主要為180nm和130nm，引自新加坡技術，產能每月2萬片，預計2018年底投產；第二期22FDX，引自德國技術，產能每月6.5萬片，2019年下半年投產。這樣算下來，一期二期完成后，總產能將達到8.5萬片/月。

眾所周知，晶圓尺寸越大，單一晶圓片上可生產的IC芯片就越多，但對材料技術和生產技術的要求更高，目前的晶圓尺寸有4英寸、5英寸、6英寸、8英寸、12英寸甚至更大的規(guī)格，而12英寸可以說是當下最最主流的尺寸，根據(jù)市場研究機構IC Insights的最新報告，到2020年12英寸晶圓的比例將達到68%。

值得一提的是，Global Foundries還宣布，未來在中國市場將啟用全新的名字——格芯，而放棄了此前大家所熟知的格羅方德。

格芯首席執(zhí)行官Sanjay Jha表示：“為滿足全球客戶群的需求，我們將不斷在產能和技術上進行投資。從應用于無線互聯(lián)設備的世界頂級 RF-SOI 平臺，到占據(jù)科技前沿的 FD-SOI 和FinFET工藝路線圖，這些均見證了市場對于我們主流工藝和先進工藝技術的強勁需求。新投資將有助格芯擴張現(xiàn)有的晶圓制造廠。通過此次在成都的合作計劃，我們將穩(wěn)固，并進一步加速在中國市場的發(fā)展?！?/p>

雷鋒網曾報道，格芯此前曾公布了一組數(shù)據(jù)：22nm FD-SOI工藝功耗比28nmHKMG降低了70%，芯片面積比28nmBulk縮小了20%，光刻層比FinFET工藝減少接近50%，芯片成本比16/14nm FinFET低了20%。如果該數(shù)據(jù)屬實，那么22nm FD-SOI的性能甚至可以與14/16nm FinFET持平，而芯片的成本卻與28nm相當。

半導體資深人士莫大康也曾表示，相比FinFET，F(xiàn)D-SOI根據(jù)功耗和綜合成本優(yōu)勢，其產品廣泛應用于移動終端、物聯(lián)網、智能設備、汽車電子等領域，發(fā)展FD-SOI制程工藝是中國集成電路追趕國際先進水平的機會。

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