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28nm增產(chǎn)競賽,缺芯只是表面原因

本文作者: 吳優(yōu) 2021-04-30 18:47
導(dǎo)語:28nm擴產(chǎn)早已是業(yè)界共識,是缺芯潮給了大家擴產(chǎn)的決心。

近幾個月,晶圓代工廠相繼宣布擴充產(chǎn)能,華虹半導(dǎo)體宣布建設(shè)一條工藝等級為90-65/55nm的生產(chǎn)線,臺積電、聯(lián)華電子及中芯國際也紛紛指向了28nm產(chǎn)能擴充。

最早是今年3月18日,中芯國際發(fā)布公告稱公司與深圳市簽訂合作框架協(xié)議,中芯深圳將重點生產(chǎn)28nm及以上的集成電路和提供技術(shù)服務(wù),最終實現(xiàn)每月約4萬片12吋晶圓產(chǎn)能,預(yù)計項目投資金額23.5億美元(折合152.75億元人民幣)。

4月份,臺積電宣布斥資28.87億美元(折合187.19億元人民幣)擴充南京臺積電28nm產(chǎn)能,預(yù)計達到美元4萬片的生產(chǎn)規(guī)模。緊接著,聯(lián)電也召開線上會議,宣布投資約135.3億元人民幣擴充在臺南科學(xué)園區(qū)的12吋廠Fab12的28nm產(chǎn)能。

這幾家宣布擴產(chǎn)的代工廠,都預(yù)計將在2022年開始正常生產(chǎn)。十多年前開發(fā)出的28nm工藝制程,在5nm先進制程被廣泛用在智能手機上的今天,依然熱度不減,甚至引發(fā)各個晶圓廠之前新一輪競爭。

值得注意的是,這次28nm產(chǎn)能的集體擴充,與當(dāng)下備受關(guān)注的缺芯潮并無太大直接聯(lián)系。

28nm增產(chǎn)競賽,缺芯只是表面原因

代工巨頭臺積電的“轉(zhuǎn)折點”

依然是在摩爾定律的推動下,芯片工藝制程在2010年左右發(fā)展到28nm,彼時的半導(dǎo)體公司受金融危機影響元氣大傷,很多IDM公司或剝離制造業(yè)務(wù)或?qū)⒏嗟馁Y源投資到芯片設(shè)計中,給晶圓代工廠帶來更多發(fā)展空間。

在78歲高齡的張忠謀重回歸臺積電后,臺積電在2011年成為首個量產(chǎn)28nm工藝制程的代工廠。當(dāng)時的報道稱,臺積電推出的第一個版本的是低功耗28nmLP,采用傳統(tǒng)的SiON工藝,引入了多晶硅柵和二氧化硅硝酸鹽,適合低頻環(huán)境。

事實上,工藝制程發(fā)展到45nm時,核心面積減少導(dǎo)致單位面積密度增高,漏電問題更加嚴重,此時傳統(tǒng)的二氧化硅柵極介電質(zhì)工藝遇到瓶頸,也就是臺積電所量產(chǎn)的第一代28nm產(chǎn)品,雖然能夠縮小芯片面積但并未解決高功耗的問題,因此業(yè)界普遍轉(zhuǎn)向了能夠降低漏電的HKMG(high-k絕緣層+金屬柵極)疊層技術(shù)。

而在選擇HKMG晶體管結(jié)構(gòu)上,業(yè)界分成兩大陣營,一家是以IBM為首的Gate-First工藝流派,其支持者還有英飛凌、NEC、GF、三星和意法半導(dǎo)體等芯片制造技術(shù)聯(lián)盟所屬成員。另一家是以Intel、臺積電為代表的Gate-Last工藝流派。這兩種工藝流派各自都有需要攻克的難點,前者的PMOS管門限電壓難以控制,后者需要設(shè)計環(huán)節(jié)積極配合修改電路來提升管芯密度。盡管雙方都宣稱自己的工藝更適合HKMG晶體管,但未有實際產(chǎn)品出世證明誰更優(yōu)越。

率先在2012年攻克了28nm HKMG制程的臺積電證明了更少人看好的 Gate-Last更具潛力與優(yōu)勢,推出適用于高頻的28nm而后繼續(xù)向20nm前進。

28nm增產(chǎn)競賽,缺芯只是表面原因

臺積電工藝節(jié)點發(fā)展歷程,圖片源自臺積電官網(wǎng)

而這一次在HKMG上的選擇讓臺積電大獲全勝,營收與獲利屢創(chuàng)新高,將彼時最大競爭對手三星、GF遠遠甩在身后。在迅速轉(zhuǎn)向28nm的2012年,臺積電在第四季度財報會上表示:公司在這一年里實現(xiàn)了創(chuàng)紀錄的營收和利潤,出貨量相比2011年增長了30倍。

到了2013年,三星、GF以及UMC的28nm HKMG才剛剛導(dǎo)入量產(chǎn),而臺積電則利用先發(fā)優(yōu)勢快速搶占客戶資源、占領(lǐng)市場,28nm出貨量持續(xù)攀升,甚至占據(jù)了超過80%的細分節(jié)點市場份額。

28nm增產(chǎn)競賽,缺芯只是表面原因

各晶圓廠28nm及以下的量產(chǎn)能力,圖片源自O(shè)MDIA

雖然摩爾定律指出,集成電路上可容納的晶體管數(shù)目大約每經(jīng)過18個月便會增加一倍,處理器性能每隔兩年翻一倍,但并不意味著工藝節(jié)點發(fā)展到下一代時,上一代就失去存在的意義,對28nm而言更是如此。

效益最高、應(yīng)用廣泛的黃金28nm

臺積電雖然早在2011年就實現(xiàn)了28nm的量產(chǎn)且一直在開發(fā)更加先進的工藝,但28nm卻始終是臺積電的核心業(yè)務(wù),2016年營收占比26%,2017年和2018年占比23%,直到2020年,28nm的營收也依然占總營收的12.67%,僅次于7nm和16nm,需要用到EUV光刻機才能制造的5nm節(jié)點營收也只占全年收入的7.72%。

28nm增產(chǎn)競賽,缺芯只是表面原因

28nm能夠支撐臺積電核心業(yè)務(wù)近十年,主要有兩個重要原因。一方面是先進制程中28nm成本效益高,往后需要FinEFT工藝的16/14nm節(jié)點,晶圓制造成本將增加至少50%,同時使用壽命比不上28nm節(jié)點,更先進的工藝成本更高,只用擁有最大市場的智能手機才能承受如此昂貴成本。

另一方面,隨著28nm工藝的成熟,市場需求呈爆炸性增長,從最開始應(yīng)用在手機處理器和基帶上,到后來在OOT盒和智能電視等更加廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。

隨著個人集成電路時代的到來以及物聯(lián)網(wǎng)、5G等技術(shù)的演進,無論是用來改善手機屏幕的OLED驅(qū)動器,還是滿足物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的各種連接芯片,還是用在混合計算中心、無線基站以及自動駕駛汽車等專有領(lǐng)域的FPGA,高性能低功耗的28nm工藝都是理想的選擇。

放眼于全球,根據(jù)TrendForce調(diào)查研究,2020年28nm及以上制程的產(chǎn)品線更加廣泛,包括CMOS圖像傳感器、小尺寸面板驅(qū)動IC、射頻元件、電視系統(tǒng)單芯片、WiFi及藍牙芯片等眾多需求增長,28nm訂單持續(xù)爆滿。

還有一個重要原因是,盡管客戶更愿意使用更加成熟的工藝和更低的成本制造,但8吋晶圓廠隨著設(shè)備折舊而數(shù)量大幅下降,即200mm晶圓利用率升高且產(chǎn)能增長緩慢,因此原本能夠用更加成熟制程的電子產(chǎn)品也被迫往28nm遷移。

擴產(chǎn)28nm是共識,缺芯潮只是引爆點

晶圓代工廠們相繼宣布擴產(chǎn)28nm,表面上看似乎與當(dāng)下的缺芯潮密切相關(guān),擴產(chǎn)已經(jīng)發(fā)展成熟、效益最高的28nm產(chǎn)能,能更好更快地解決缺芯問題。

不過產(chǎn)能擴充往往需要較長的時間周期,這些28nm芯片至少明年才能正常生產(chǎn),短時間內(nèi)依然無法解決產(chǎn)能短缺的問題。實際上業(yè)界和市場早已對28nm做出評估,即使沒有這一次缺芯潮,依然會選擇擴產(chǎn)28nm工藝。

一位半導(dǎo)體行業(yè)資深人士告訴雷鋒網(wǎng),擴產(chǎn)反應(yīng)了業(yè)界對28nm工藝制程的共識,未來半導(dǎo)體行業(yè)的整體用量依然會繼續(xù)增加,包括車用、電源等方面,就整個晶圓廠目前28nm的產(chǎn)能,也沒有特別大,中芯國際目前28nm月產(chǎn)能大約在8萬片。

“產(chǎn)能遲早都要往前走,這次的缺芯潮是一個誘因,讓各個晶圓廠下定決心一起往前走?!?/strong>

值得注意的是,去年年底我國國務(wù)院也發(fā)布《新時期促進集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》,政策顯示,國家鼓勵的集成電路線寬小于28納米(含),且經(jīng)營期在15年以上的集成電路生產(chǎn)企業(yè)或項目,第一年至第十年免征企業(yè)所得稅。從某種程度上也證明了28nm的重要性。

或許28nm看上去沒有5nm、2nm高端,但適用范圍確實更加廣泛,人人都在關(guān)注更加先進的制程支撐智能手機這塊巨大的市場,但最先進的不一定適合所有,應(yīng)用范圍最廣泛的不一定最先進。

文章參考鏈接:

https://omdia.tech.informa.com/OM016176/28nm-to-be-a-long-lived-node-for-semiconductor-applications-in-the-next-five-years

https://www.cnbeta.com/articles/tech/106647.htm

http://news.moore.ren/industry/75253.htm

http://pdf.dfcfw.com/pdf/H3_AP201711211053905974_01.pdf

雷鋒網(wǎng)雷鋒網(wǎng)雷鋒網(wǎng)

 


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