17日，高通公司宣布將與三星電子合作開發(fā)下一代旗艦級處理器驍龍835，據(jù)稱835將采用三星最先進的10nm制造工藝。另外，高通表示835將支持最新的快充技術(shù)Quick Charge 4.0。

由于采用全新的10納米制程工藝，高通方面表示驍龍835處理器將具備更低的功耗以及更高性能，從而提升移動設備的用戶體驗。

據(jù)悉，今年10月份，三星就率先公布了10納米工藝的量產(chǎn)，與上代14納米工藝相比，10納米可以減少30%的芯片尺寸，同時提升27%的性能以及降低40%的功耗。

借助10納米工藝制程，高通驍龍835處理器具備更小的SoC尺寸，讓OEM廠商可以進一步優(yōu)化移動設備的機身內(nèi)部結(jié)構(gòu)，比如增加電池或是實現(xiàn)更輕薄的設計等等。此外，制程工藝的提升也會改善電池續(xù)航能力。

目前驍龍835已經(jīng)投入生產(chǎn)，預計搭載驍龍835處理器的設備將會在2017年上半年陸續(xù)出貨。

除了驍龍835處理器之外，高通還正式發(fā)布了全新的Quick Charge 4.0快充技術(shù)。

QC 4.0將會在前幾代方案的基礎上繼續(xù)提升充電效率，官方稱充電5分鐘可以延長手機使用時長5小時，充電效率比之前增加30%。此外QC 4.0還集成了對USB-C和USB-PD(Power Delivery)的支持，適配范圍更廣泛。

USB-PD是谷歌最新在安卓兼容性定義文檔(Android Compatibility Definition Document)中加入的條目，谷歌強烈建議制造商不要使用Quick Charge這樣的非標準性的USB-C充電方案，而是遵循USB-PD的技術(shù)規(guī)格。不過，隨著最新的QC4.0已經(jīng)支持USB-PD，谷歌所說的“非標準充電”也就不再有效。

值得一提的是，高通還強調(diào)QC 4.0使用了智能協(xié)商最佳電壓（Intelligent Negotiation for Optimum Voltage，INOV）算法和熱管理技術(shù)。該技術(shù)的最大特點在于，通過智能管理設備的充電電量，能有效防止過熱問題，從而大大減少充電時爆炸的風險。

高通表示，所有使用Snapdragon 835的手機將獲得三級電流和四級電壓保護，以防止過熱。另外，和上一代技術(shù)相比，Quick Charge 4.0也將讓手機溫度降低高達5攝氏度。

業(yè)內(nèi)人士猜測，此次高通與三星合作研發(fā)，很可能意味著三星下一代旗艦機型Galaxy S8將首發(fā)驍龍835，而更重要的是，使用了QC 4.0的S8將比Note7更安全。

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