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小米5獲益,高通推出新一代快充技術(shù)

本文作者: 程弢 2015-09-15 12:12
導語:今日上午,高通正式宣布其子公司QualcommTechnologies, Inc. 現(xiàn)已推出下一代快速充電技術(shù)Quick Charge 3.0。

小米5獲益,高通推出新一代快充技術(shù)

快充技術(shù)被廣泛用于移動設(shè)備和配件中,這一技術(shù)有效地緩解了電池續(xù)航性能不給力的問題。目前,支持高通Quick Charge 2.0的移動設(shè)備多達40款,該技術(shù)可在半小時內(nèi)為設(shè)備充上60%的電量。高通一直在思考一個問題,充電能不能再快一點?

小米5獲益,高通推出新一代快充技術(shù)

最新Quick Charge 3.0技術(shù)與普通設(shè)備充電對比

今日上午,高通正式宣布其子公司QualcommTechnologies, Inc. 現(xiàn)已推出下一代快速充電技術(shù)Quick Charge 3.0。這是高通快充技術(shù)的第三代產(chǎn)品,其在同類產(chǎn)品中首次采用最佳電壓智能協(xié)商(Intelligent Negotiation for Optimum Voltage,INOV)算法。

INOV算法有什么特點?

INOV是QualcommTechnologies開發(fā)的全新算法,它可以幫助便攜設(shè)備具備選定所需功率電平的能力,設(shè)備在任意時刻實現(xiàn)最佳功率傳輸,且最大化效率。因此,該技術(shù)的充電效率也相應(yīng)的提升了,據(jù)高通介紹,35分鐘能為手機充到80%的電量,相比之下,普通的設(shè)備需要一個半小時的時間(如上動圖)。此外,Quick Charge 3.0比高通前兩代快充技術(shù)也有大幅提升:

·  與Quick Charge 2.0相比,幫助提高快速充電速度最高達27%,或減少功率損耗最高達45%

·  比Quick Charge 1.0快2倍的充電速度

另一方面,與Quick Charge 2.0相比,Quick Charge 3.0具備更豐富的充電選項,以200mV增量為一檔,提供了從3.6V到20V的電壓選擇。這種做法可以更匹配手機的充電電壓,以獲得最佳充電電流,電量損失以及充電效率也進一步得到優(yōu)化。

高通還宣布,這項技術(shù)將整合到最新的驍龍820、620、618、617和430處理器當中,而搭載該快充技術(shù)的設(shè)備要等到明年才能問世,小米5可能成為第一批用上Quick Charge 3.0的手機。

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