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| 本文作者： 吳優(yōu) | 2021-07-27 12:44 |
過去幾十年間，英特爾憑借摩爾定律和先進(jìn)半導(dǎo)體制程持續(xù)引領(lǐng)行業(yè)的發(fā)展。但摩爾定律的放緩以及在10納米制程上的一再延期讓許多人對(duì)英特爾的領(lǐng)導(dǎo)力失去了信心。英特爾新任CEO Pat Gelsinger也說，英特爾需要加速創(chuàng)新的節(jié)奏。
不過，英特爾在先進(jìn)制程上不被看好還有一個(gè)關(guān)鍵原因就是節(jié)點(diǎn)命名。因此，繼今年三月宣布IDM 2.0計(jì)劃之后，英特爾今天又公布了最新的半導(dǎo)體制程和先進(jìn)封裝的路線圖。英特爾計(jì)劃在2024年用Intel 20A制程將半導(dǎo)體行業(yè)帶入埃米時(shí)代（1納米=10埃米）。
“對(duì)于未來十年走向超越1納米節(jié)點(diǎn)的創(chuàng)新，英特爾有著一條清晰的路徑。在窮盡元素周期表之前，摩爾定律都不會(huì)失效，英特爾將持續(xù)利用硅的神奇力量不斷推進(jìn)創(chuàng)新?！盤at Gelsinger表示。
Pat信心滿滿的表示英特爾回來了。
他認(rèn)為，英特爾在先進(jìn)制程和封裝技術(shù)上的創(chuàng)新，將使其在2024年在制程性能水平上與同行齊頭并進(jìn)，在2025年再度領(lǐng)先業(yè)界。
英特爾在今天也宣布AWS將成為第一個(gè)使用英特爾代工服務(wù)（IFS）封裝解決方案的客戶。英特爾也將與高通合作，共同開啟半導(dǎo)體的埃米時(shí)代。同時(shí)，英特爾今天討論的許多創(chuàng)新技術(shù)也會(huì)向IFS客戶提供。
英特爾全新節(jié)點(diǎn)命名體系，未來五年節(jié)點(diǎn)每年更新
芯片工藝制程最初是微米級(jí)別，其命名方式與晶體管的柵極長(zhǎng)度相對(duì)應(yīng)，后來晶體管越來越小，柵極長(zhǎng)度越來越微縮，芯片工藝制程實(shí)現(xiàn)從微米級(jí)到納米級(jí)別的飛躍，這時(shí)命名法則依然同柵極長(zhǎng)度一一對(duì)應(yīng)。
到了1997年，由于應(yīng)變硅（strained silicon）等新技術(shù)的出現(xiàn)，晶體管柵極長(zhǎng)度的微縮不再是提高芯片性能最重要的指標(biāo)，加上芯片市場(chǎng)化的日益成熟，包括英特爾在內(nèi)的許多芯片公司的工藝節(jié)點(diǎn)命名方法開始不再與實(shí)際的晶體管的柵極長(zhǎng)度相匹配，而是使用各不相同的制程節(jié)點(diǎn)命名和編號(hào)規(guī)則，節(jié)點(diǎn)命名規(guī)則“百花齊放”。
如今，整個(gè)行業(yè)，包括英特爾在內(nèi)，使用著各不相同的制程節(jié)點(diǎn)命名和編號(hào)方案，這些多樣的方案既不再指代任何具體的度量方法，也無法全面展現(xiàn)該如何實(shí)現(xiàn)能效和性能的最佳平衡。
“今天，英特爾想要更新自己的命名體系，以創(chuàng)建一個(gè)清晰、一致和有意義的框架，來幫助我們的客戶對(duì)整個(gè)行業(yè)的制程節(jié)點(diǎn)演進(jìn)有一個(gè)更準(zhǔn)確認(rèn)知，進(jìn)而做出更明智的決策。”英特爾CEO Pat Gelsinge說道。
英特爾命名體系基于客戶看中的關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)而提出，即性能、功率和面積（PPA），且將從下一代節(jié)點(diǎn)開始生效。
目前，英特爾正在生產(chǎn)10納米SuperFin節(jié)點(diǎn)的芯片，10nm晶圓的數(shù)量已經(jīng)遠(yuǎn)超同期生產(chǎn)的14nm晶圓的數(shù)量，這一代產(chǎn)品的命名將不會(huì)改變。
原本英特爾10納米SuperFin節(jié)點(diǎn)的下一代被稱之為Enhaned SuperFin，現(xiàn)在更名為Intel 7，Intel 7之后是Intel 4和Intel 3，Intel 3的下一代，將被稱為Intel 20A，摩爾定律持續(xù)有效，半導(dǎo)體進(jìn)入原子水平之上的時(shí)代——埃米時(shí)代。
2021年推出Intel 7系列產(chǎn)品
同10納米SuperFin相比，Intel 7每瓦性能將提升大約10%-15%，與一個(gè)完整制程節(jié)點(diǎn)的性能增益相當(dāng)。
英特爾的全球技術(shù)開發(fā)團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人Ann Kelleher博士介紹，Intel 7的性能提升主要源于幾項(xiàng)技術(shù)創(chuàng)新：通過采用更高應(yīng)變性能和更低電阻的材料讓電子更快地通過通道，以新型高密度蝕刻技術(shù)和流線型結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)更好的能耗控制，用更高的金屬堆棧改進(jìn)電能傳輸，實(shí)現(xiàn)布線優(yōu)化。
Intel 7的產(chǎn)品——Alder Lake客戶端系列將于2021年推出，隨后是面向數(shù)據(jù)中心的Sapphire Rapids，將于2022年第一季度投產(chǎn)。此外，Ponte Vecchio GPU也將采用Intel 7工藝，于2022年初上市，其中集成了基片（base tiles）和Rambo緩存晶片（Rambo cache tiles）。
2022年投產(chǎn)首個(gè)完全采用EUV的Intel 4
Intel 4是英特爾首個(gè)完全采用極紫外光刻（EUV）技術(shù)的制程節(jié)點(diǎn)。EUV采用高度復(fù)雜的透鏡和反射鏡光學(xué)系統(tǒng)，將13.5納米波長(zhǎng)的光對(duì)焦，從而在硅片上刻印極微小的圖樣。相較于之前使用波長(zhǎng)為193納米的光源的技術(shù)，這是巨大的進(jìn)步。
雷鋒網(wǎng)了解到，面向客戶端的Meteor Lake和面向數(shù)據(jù)中心的Granite Rapids都見將基于Intel 4 ，于2022年下半年投產(chǎn)，2023年出貨。
在芯片代工領(lǐng)域，臺(tái)積電能夠保持其領(lǐng)先地位，最先研發(fā)并量產(chǎn)出5納米工藝節(jié)點(diǎn)芯片，重要原因之一就是采用了EUV光刻技術(shù)，且與ASML保持著良好的合作關(guān)系。
Ann Kelleher表示，將EUV投入量產(chǎn)，需要構(gòu)建一個(gè)以該設(shè)備為中心的完整供應(yīng)鏈生態(tài)——光刻膠、掩模生成、蒙版加附、計(jì)量檢測(cè)。英特爾努力構(gòu)建EUV生態(tài)，也有一些優(yōu)勢(shì)，比如其子公司IMS作為EUV多波束掩?？虒憙x的全球主要供應(yīng)商，能夠?yàn)镋UV光刻技術(shù)提供掩模必備工具。
EUV也將成為英特爾實(shí)現(xiàn)再次實(shí)現(xiàn)制程領(lǐng)先的關(guān)鍵。英特爾稱其正在同ASML定義、構(gòu)建和部署下一代EUV工具，高數(shù)值孔徑EUV（High-NA EUV），集成更高精度的透鏡和反射鏡，刻印出更微小的圖樣，有望率先獲得業(yè)界第一臺(tái)High-NA EUV光刻機(jī)，并計(jì)劃在2025年成為首家在生產(chǎn)中實(shí)際采用High-NA EUV的芯片制造商。
“這些進(jìn)展也取決于我們和業(yè)界其他關(guān)鍵參與者的密切合作。與包括應(yīng)用材料（Applied Materials）、泛林集團(tuán)（LAM Research）和東電電子（TEL）在內(nèi)的設(shè)備供應(yīng)商的合作?！盇nn Kelleher表示。
一位微電子研究員表示，臺(tái)積電現(xiàn)在用的EUV光刻機(jī)應(yīng)該是0.33數(shù)值孔徑，到了下一個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)，比如3納米，就需要使用多重曝光，但如果使用High-NA EUV，即0.55na，就只需要一次曝光。目前ASML正在研發(fā)High-NA EUV光刻機(jī)。
2023年下半年開始生產(chǎn)Intel 3產(chǎn)品
較之Intel 4，Intel 3將在晶體管每瓦性能上實(shí)現(xiàn)約18%的提升，在功耗和面積上也會(huì)有所改進(jìn)。
這主要是因?yàn)镮ntel 3增加了一個(gè)比Intel 4更高密度、更高性能的庫，提高了內(nèi)在驅(qū)動(dòng)電流，以完全優(yōu)化FinFET晶體管，通過減少通孔電阻，優(yōu)化了互連金屬堆棧，與Intel 4相比，在更多工序中增加了EUV的使用。
2024年用Intel 20A開啟半導(dǎo)體埃米時(shí)代
Intel 3之后的下一個(gè)節(jié)點(diǎn)是Intel 20A，這將是英特爾能否實(shí)現(xiàn)再次引領(lǐng)半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)。Intel20A有將采用全新的晶體管架構(gòu)RibbonFET，采用創(chuàng)新技術(shù)PowerVia。英特爾宣布，高通將會(huì)在Intel 20A制程上與其合作。
RibbonFET 是英特爾對(duì)Gate All Around晶體管的實(shí)現(xiàn)，它將成為英特爾自 2011 年率先推出 FinFET 以來的首個(gè)全新晶體管架構(gòu)。Gate All Around已經(jīng)在業(yè)界被研發(fā)多年，通過堆疊多個(gè)通道，即納米帶，可以實(shí)現(xiàn)與多個(gè)鰭片相同的驅(qū)動(dòng)電流，但占用的空間更小。
“我們預(yù)計(jì)RibbonFET晶體管帶來的性能和密度提升，將超過如今的FinFET晶體管?！必?fù)責(zé)領(lǐng)導(dǎo)這一技術(shù)研究的Sanjay Natarajan表示。
PowerVia 的創(chuàng)新點(diǎn)在于，傳統(tǒng)的互連技術(shù)是在晶體管層的頂部進(jìn)行互聯(lián)，PowerVia則將電源線置于晶體管下面，也就是晶體管的背面，可以騰出更多的資源用于優(yōu)化信號(hào)布線并減少時(shí)延。
英特爾研究院副總裁、英特爾中國(guó)研究院院長(zhǎng)宋繼強(qiáng)告訴雷鋒網(wǎng)，PowerVia是業(yè)界都在研究的技術(shù)，主要在設(shè)計(jì)和工具方面面臨著挑戰(zhàn)。
“事實(shí)上，我們希望在更早的制程節(jié)點(diǎn)上測(cè)試PowerVia，以確保這項(xiàng)開創(chuàng)性的技術(shù)完全準(zhǔn)備就緒，2024年在Intel 20A中全面采用?！盨anjay說。
物理意義上，埃米是晶體學(xué)、原子物理、超顯微結(jié)構(gòu)等常用的長(zhǎng)度單位，是比納米更小的單位，10埃米等于1納米。Intel 20A 標(biāo)志著半導(dǎo)體埃米時(shí)代的啟幕，或?qū)⒊蔀橹瞥碳夹g(shù)的又一個(gè)分水嶺。
在更遠(yuǎn)的未來，Intel 20A下一代工藝Intel 18A也已在研發(fā)中，預(yù)計(jì)將在2025年初推出，將會(huì)對(duì)RibbonFET進(jìn)行改進(jìn)，實(shí)現(xiàn)晶體管性能的又一次飛躍?！暗且^一段時(shí)間大家才能獲得更多的相關(guān)信息，因?yàn)榭深A(yù)測(cè)性對(duì)客戶至關(guān)重要，在整個(gè)開發(fā)過程中我們始終專注于進(jìn)度的可預(yù)測(cè)性?！盨anjay補(bǔ)充表示。
需要指出的是，英特爾今天宣布的新制程技術(shù)，全部都是在美國(guó)本土開發(fā)，將會(huì)在英特爾美國(guó)俄勒岡州的晶圓廠開始投入大規(guī)模生產(chǎn)。
對(duì)于英特爾更新節(jié)點(diǎn)的命名，賽迪顧問高級(jí)分析師呂芃浩持積極態(tài)度，他對(duì)雷鋒網(wǎng)表示：“工藝節(jié)點(diǎn)都是各個(gè)企業(yè)自主命名的，本身技術(shù)節(jié)點(diǎn)命名上有差距。在同一技術(shù)節(jié)點(diǎn)，英特爾其實(shí)是相對(duì)領(lǐng)先的，比如英特爾的10nm工藝跟臺(tái)積電和三星的7nm基本相當(dāng)?shù)?。采用新的命名可以跟其它代工企業(yè)的技術(shù)節(jié)點(diǎn)保持一致，避免這個(gè)命名不同帶來的技術(shù)落后的假象。按照新的技術(shù)路線，英特爾在節(jié)點(diǎn)上就是一致了，很快達(dá)到相同水平”
一位資深半導(dǎo)體專家也非常看好英特爾最新的路線圖。他表示：“英特爾在先進(jìn)制程方面的能力非常強(qiáng)，最近幾年反而落后了，這次的發(fā)布應(yīng)該是解決了某些瓶頸，我對(duì)英特爾在先進(jìn)制程方面實(shí)現(xiàn)反超有信心?！?/p>
“按照最新的命名，Intel 7 已經(jīng)開始量產(chǎn)，Intel 4 和Intel 3應(yīng)該也是能夠按照路線圖實(shí)現(xiàn)的。至于后續(xù)工藝將采用新的結(jié)構(gòu)，還有待觀察?！眳纹M浩同時(shí)指出。
2.5D封裝下一代研發(fā)進(jìn)行時(shí)，3D Foveros新技術(shù)2023年量產(chǎn)
隨著工藝節(jié)點(diǎn)的演進(jìn)，先進(jìn)封裝所扮演的角色也越來越重要，通過縱向擴(kuò)展和堆疊晶片實(shí)現(xiàn)摩爾定律效應(yīng)，正在實(shí)施IDM 2.0的英特爾看到了這一點(diǎn)，同時(shí)更新了先進(jìn)封裝的路線圖。
2.5D封裝解決方案EMIB下一代正研發(fā)
2017年，英特爾開始出貨基于其2.5D封裝解決方案EMIB的產(chǎn)品，Sapphire Rapids，成為業(yè)界首個(gè)提供幾乎與單片設(shè)計(jì)相同性能的，但整合了兩個(gè)光罩尺寸的器件（dual-reticle-sized device）。
與標(biāo)準(zhǔn)封裝互連相比，EMIB具有2倍的帶寬密度和4倍的能效提升。目前，英特爾正在研發(fā)下一代EMIB技術(shù)，將從現(xiàn)有的55微米凸點(diǎn)間距縮短至45微米，并將在第三代中進(jìn)一步縮短至40微米。
“我們還將在92x92毫米的封裝上使用45微米間距的EMIB，這將是世界上最大的球柵陣列封裝。”Ann Kelleher表示。
3D封裝技術(shù)Foveros升級(jí)更新
在Foveros方面，Meteor Lake是在客戶端產(chǎn)品中實(shí)現(xiàn)Foveros技術(shù)的第二代部署，采用Foveros技術(shù)的Meteor Lake有幾個(gè)特點(diǎn)，具有 36微米的凸點(diǎn)間距，不同晶片可基于多個(gè)制程節(jié)點(diǎn)，熱設(shè)計(jì)功率范圍為 5-125W。
今年三月份，英特爾已經(jīng)透露Ponte Vecchio GPU將是首個(gè)同時(shí)采用EMIB和第二代Foveros技術(shù)的產(chǎn)品。
在去年的架構(gòu)日上，英特爾簡(jiǎn)單介紹了基于Foveros兩項(xiàng)全新的封裝技術(shù)，F(xiàn)overos Omni與Foveros Direct，今天英特爾更加詳細(xì)地介紹了這兩項(xiàng)新技術(shù)。
Foveros Omni采用了硅通孔技術(shù)和封裝銅柱通孔技術(shù)的組合，在密集的裸片到裸片的互連中來平衡高速信號(hào)和電能傳輸 為模塊化設(shè)計(jì)和裸片到裸片的互連，裸片到裸片互連從36微米的微凸點(diǎn)間距縮減至25微米，凸點(diǎn)密度翻了四倍，達(dá)到1600 IO/mm2。它允許將多個(gè)分解的頂片與多個(gè)基片集成，頂片和基片都可以基于不同晶圓制程節(jié)點(diǎn)混合搭配，從而使得設(shè)計(jì)更加靈活。
Foveros Direct 是對(duì) Foveros Omni 的補(bǔ)充，實(shí)現(xiàn)了向直接銅對(duì)銅鍵合的轉(zhuǎn)變，它可以實(shí)現(xiàn)低電阻互連，并使得從晶圓制成到封裝開始，兩者之間的界限不再那么截然，同時(shí)這一封裝技術(shù)也實(shí)現(xiàn)了10微米以下的凸點(diǎn)間距，使3D堆疊的互連密度提高了一個(gè)數(shù)量級(jí)，為功能性裸片分區(qū)提出了新的概念，這在以前是無法實(shí)現(xiàn)的。
Foveros Direct 與 Foveros Omni ，預(yù)計(jì)將于 2023年用到量產(chǎn)的產(chǎn)品中。
“Foveros Direct這個(gè)名字源于向無焊料直接銅對(duì)銅鍵合的轉(zhuǎn)變，它可以實(shí)現(xiàn)低電阻互連。這項(xiàng)技術(shù)將改變異構(gòu)集成，真正將封裝技術(shù)提升至全新水平。從晶圓制成到封裝開始，兩者之間的界限正變得不那么截然?！庇⑻貭柾苿?dòng)封裝創(chuàng)新路線圖的負(fù)責(zé)人Babak Sabi如此表示。
宋繼強(qiáng)強(qiáng)調(diào)，除了能夠?qū)崿F(xiàn)互連擴(kuò)展的組裝技術(shù)外，英特爾還擁有業(yè)界領(lǐng)先的先進(jìn)分揀技術(shù)，能夠在進(jìn)行基于EMIB和Foveros的封裝之前，對(duì)“已知優(yōu)質(zhì)晶片”進(jìn)行更精確的識(shí)別。這些創(chuàng)新有助于英特爾優(yōu)化產(chǎn)品性能和良率——這是實(shí)現(xiàn)經(jīng)濟(jì)型制造的關(guān)鍵。
Ann Kelleher也透露了英特爾2025年之后制程和封裝發(fā)展方向，程技術(shù)創(chuàng)新方面，2025年后的未來節(jié)點(diǎn)將利用堆疊NMOS/PMOS，把Gate All Around提升至全新水平。先進(jìn)封裝方面將在未來幾代技術(shù)中從電子封裝過渡到集成硅光子學(xué)的光學(xué)封裝。
代工服務(wù)“開業(yè)大吉”，招攬大客戶AWS與高通
今年3月，Pat Gelsinger對(duì)外宣布英特爾將啟動(dòng)升級(jí)IDM 2.0戰(zhàn)略，除了設(shè)計(jì)制造自家產(chǎn)品以外，還將根據(jù)需求混合使用內(nèi)部和外部代工，讓客戶使用其制造技術(shù)來制造芯片，為此，英特爾還成立了新的業(yè)務(wù)部門，IFS （Intel Foundry Services）。
“新”包括系列制程和封裝技術(shù)，支持x86、ARM和RISC-V生態(tài)系統(tǒng)的生產(chǎn)，支持行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)工具（EDA工具）和工作流?？蛻艨梢允褂眯袠I(yè)標(biāo)準(zhǔn)工藝開發(fā)套件（PDK）來設(shè)計(jì)芯片，并交給英特爾制造。
IDM2.0的規(guī)劃與暢想是令人振奮的，但為內(nèi)部制造芯片與服務(wù)產(chǎn)業(yè)有著截然不同的商業(yè)邏輯和思路，誰會(huì)選擇英特爾的代工業(yè)務(wù)成為業(yè)界都好奇的問題。
在今天的會(huì)議上，這一問題有了答案。AWS、高通兩家公司已經(jīng)展開同英特爾代工方面的合作，率先成為英特爾代工服務(wù)的客戶。其中，AWS同英特爾在先進(jìn)封裝方面展開合作，高通則是在Intel 20A上與其合作。
“我很高興地宣布英特爾已經(jīng)與AWS簽約，它們將成為我們的第一個(gè)使用英特爾代工服務(wù)（IFS）封裝解決方案的客戶。此外，我也非常高興英特爾與高通合作，他們將采用Intel 20A制程工藝技術(shù)?！盤at Gelsinger興奮地表示。
用Pat Gelsinger的話來講，英特爾的代工業(yè)務(wù)正揚(yáng)帆起航。
不過，一位在芯片行業(yè)有20多年從業(yè)經(jīng)驗(yàn)的人士曾向雷鋒網(wǎng)表示，英特爾從自用工廠轉(zhuǎn)為代工業(yè)務(wù)主要面臨四個(gè)方面的挑戰(zhàn)：
信任度問題。代工廠可以看見芯片公司的設(shè)計(jì)、出貨量、非常精細(xì)的出貨節(jié)奏，甚至是超級(jí)機(jī)密的數(shù)字，透露給任何一家大半導(dǎo)體公司都很危險(xiǎn)。這也是臺(tái)積電只做代工模式的原因，客戶信任度高。
工具交付問題。服務(wù)公司內(nèi)部的團(tuán)隊(duì)和工具可以一邊做一邊設(shè)計(jì)打磨，而服務(wù)產(chǎn)業(yè)與客戶配合度不如服務(wù)內(nèi)部順暢。英特爾的后端工具涉及專利技術(shù)，開放與不開放，對(duì)客戶來說都是問題。
IP。代工廠需要提供很多IP給設(shè)計(jì)公司，英特爾的IP價(jià)格昂貴，會(huì)影響代工業(yè)務(wù)收入。
供貨優(yōu)先級(jí)。當(dāng)英特爾自己的芯片與同類型高端芯片爭(zhēng)奪產(chǎn)能問題時(shí)，供貨緊張的情況下，英特爾是否會(huì)故意不給客戶供貨，以及讓自家的芯片產(chǎn)品獲利。
另一位芯片設(shè)計(jì)行業(yè)資深人士同樣不太看好英特爾做代工，認(rèn)為IDM與代工存在天然沖突，如果代工成能夠轉(zhuǎn)變模式獨(dú)立運(yùn)營(yíng)，可能會(huì)是更好的選擇?！跋冗M(jìn)制程投入太大，英特爾無法自己消化，需要找到一些Fabless一起抗，這也是TSMC的發(fā)展路徑，如果往后幾代沒有人和英特爾共同承擔(dān)，英特爾可能會(huì)遇到大問題?！?/p>
“但如果代工服務(wù)向中國(guó)客戶開放，是英特爾不錯(cuò)的選擇?！边@位資深人士補(bǔ)充道。
寫在后面
56年前，英特爾創(chuàng)始人之一戈登·摩爾率先提出摩爾定律，為整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)定下發(fā)展方向，各家芯片公司以此為中心進(jìn)行一場(chǎng)又一場(chǎng)的激烈角逐。
隨著摩爾定律逼近1納米，業(yè)界又出現(xiàn)了許多關(guān)于超越摩爾定律和延續(xù)摩爾定律的探討，如今英特爾提出埃米時(shí)代，曾經(jīng)一度以為就快走到盡頭的摩爾定律，似乎又有了新的生機(jī)。
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