目前，閃迪和東芝是蘋果iPhone6、iPhone6 Plus的主要閃存芯片供應(yīng)商，而且，據(jù)消息透露，兩家廠商已經(jīng)基本完成了向下一代蘋果iPhone6s、iPhone6s Plus第一階段的供貨任務(wù)。

近日，閃迪和東芝兩家閃存廠商不約而同，宣布了旗下最新3D NAND技術(shù)的閃存芯片即將問世，速度將大幅提升，同時(shí)能耗將進(jìn)一步降低。

閃迪和東芝宣布開發(fā)出了世界第一款48層3D NAND閃存，采用3bit/cell多值化技術(shù)，容量為32GB。目前，閃迪方面已經(jīng)開始試產(chǎn)“256Gbit X3”芯片，而東芝預(yù)計(jì)將于2015年9月開始供應(yīng)樣片。據(jù)悉，該芯片采用了15納米工藝，比市面上最優(yōu)秀的商用閃存芯片電路密度提高了2倍、存儲(chǔ)速度提高4-5倍，而能耗將進(jìn)一步降低。并且，因?yàn)椴捎昧?D堆棧技術(shù)，新芯片的面積將縮小，非常適合智能手機(jī)、平板電腦之類的設(shè)備。

既然蘋果iPhone 6都用了閃迪和東芝的內(nèi)存芯片，那我們可以大膽推測(cè)，明年iPhone 7很可能會(huì)搭載上述兩家廠商的新型3D NAND閃存芯片，這將讓iPhone7在儲(chǔ)存能力、數(shù)據(jù)傳輸速度上獲得飛躍。

雷峰網(wǎng)原創(chuàng)文章，未經(jīng)授權(quán)禁止轉(zhuǎn)載。詳情見轉(zhuǎn)載須知。