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三星推出UFS 2.0標(biāo)準(zhǔn)128GB閃存芯片,或用于Galaxy S6

本文作者: Penny 2015-02-26 11:44
導(dǎo)語:三星昨日宣布推出了業(yè)內(nèi)首款UFS 2.0標(biāo)準(zhǔn)的128GB閃存芯片,隨機(jī)讀取速度達(dá)到19000 IOPS,是eMMC 5.0的2.7倍(7000 IOPS),隨機(jī)寫入速率高達(dá)14000 IOPS,是一般外置存儲(chǔ)卡的28倍。

三星昨日宣布推出了業(yè)內(nèi)首款UFS 2.0標(biāo)準(zhǔn)的128GB閃存芯片,隨機(jī)讀取速度達(dá)到19000 IOPS,是eMMC 5.0的2.7倍(7000 IOPS),隨機(jī)寫入速率高達(dá)14000 IOPS,是一般外置存儲(chǔ)卡的28倍。

持續(xù)讀寫速度方面,三星沒有公布具體的數(shù)據(jù),但表示已經(jīng)接近普通SSD的水平了,同時(shí)功耗能降低50%。此外,該閃存還采用了嵌入式堆疊封裝(ePoP)技術(shù),可直接堆疊在邏輯芯片上,節(jié)省約50%的空間。

該閃存有32、64以及128GB三種容量可選,傳統(tǒng)的16GB已經(jīng)不見蹤影了??梢灶A(yù)見的是,它未來很有可能成為旗艦產(chǎn)品的標(biāo)配(處理器需要支持UFS標(biāo)準(zhǔn)),在即將到來的Galaxy S6上我們很有希望看到它。

三星推出UFS 2.0標(biāo)準(zhǔn)128GB閃存芯片,或用于Galaxy S6


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