雷鋒網(wǎng)8月20日消息，本月早些時(shí)候英特爾和美光公開(kāi)了全新的3D XPoint（即交叉點(diǎn)）非易失性?xún)?nèi)存技術(shù)，這種技術(shù)彌補(bǔ)了計(jì)算機(jī)DRAM與NAND各自的局限性。今日，英特爾公開(kāi)了基于英特爾3D XPoint技術(shù)的DIMM內(nèi)存條，實(shí)現(xiàn)了首次將非易失性技術(shù)應(yīng)用于主內(nèi)存的記錄。

據(jù)英特爾介紹，該內(nèi)存比傳統(tǒng)DDR內(nèi)存的容量高4倍，成本則為后者的一半，其接口及電氣特性都兼容DDR4，同時(shí)又兼?zhèn)淞擞脖P(pán)的有點(diǎn)。

該內(nèi)存條將用于數(shù)據(jù)中心以及大數(shù)據(jù)分析，英特爾還沒(méi)有公布該產(chǎn)品的發(fā)布時(shí)間，不過(guò)按照這樣的趨勢(shì)英特爾又要再次走上壟斷之路啊。

眾所周知，DRAM與NAND已經(jīng)誕生了數(shù)十年，二者各有優(yōu)缺點(diǎn)：DRAM能夠提供納秒級(jí)延遲水平與幾乎無(wú)限的耐久能力，但其存在著存儲(chǔ)單元較大而價(jià)格昂貴、存儲(chǔ)單元擁有易失性以及功耗較高等問(wèn)題；而NAND的延遲過(guò)高（特別是寫(xiě)入操作），寫(xiě)入周期有限，但其存儲(chǔ)單元為非易失性而且整套結(jié)構(gòu)更為高效。因此一直以來(lái)，二者都是協(xié)同合作，即DRAM作為內(nèi)存/緩存機(jī)制，而NAND則負(fù)責(zé)處理數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。

英特爾3D XPoint則有望打破這一僵局，該技術(shù)介于DRAM和NAND之間，其使用壽命是NAND的千倍，讀取延遲也可以降到納秒級(jí)別。因此，3D XPoint完全可以彌補(bǔ)了NAND的致命缺陷，但是要取代DRAM還需要時(shí)間。

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