6
| 本文作者： 訾竣喆 | 2016-01-25 17:09 |
據(jù)外媒Motely Fool報道稱，Intel計劃將在2017年才會發(fā)布10nm制程芯片，取代自2015年延續(xù)至今的14nm級芯片。
而第七代微處理器架構(gòu)Kaby Lake計劃將于今年晚些時候推出，這也將是最后一代14nm制程的芯片。在2017年到2019年，Intel仍將推出三代10nm級芯片，也就是說，10nm制程仍將效仿14nm制程沿用三代。
“為了能夠更好的保持‘Tick-Tock’發(fā)展戰(zhàn)略，我們選擇將戰(zhàn)略周期延長，這樣能夠使我們在每個工藝節(jié)點上獲得更多的改進時間。這一優(yōu)化保證我們能夠向客戶提供更加可靠的芯片，提升Intel的競爭優(yōu)勢。這也是對“摩爾定律已死”的有力駁斥。最近的兩次技術(shù)升級表明，現(xiàn)在Tick-Tock的周期已經(jīng)從兩年延長到了2.5年?！?/p>
在這幾年來從22nm向14nm的過渡中，Intel已經(jīng)吃到了苦頭。由于已預(yù)見的因工藝難度提升所導(dǎo)致的產(chǎn)能不足，Intel目前已經(jīng)在積極推進10nm芯片工藝的生產(chǎn)開發(fā)進度，以保證能夠在2017年準時推出Cannon Lake系列芯片。Intel在此前的報告中曾表示，Tick-Tock的周期現(xiàn)在已經(jīng)從兩年延長到了2.5年。
在Broadwell之前，Intel一直嚴格遵循Tick-Tock發(fā)展戰(zhàn)略周期，每一次“Tick”代表著微處理器架構(gòu)的芯片制程得到提升；而每一次“Tock”則代表著在新一代芯片制程的基礎(chǔ)上，對微處理器的架構(gòu)進行升級。
而這一發(fā)展戰(zhàn)略正在由于工藝難度的逐年提升而逐漸放緩，Intel正在試圖在Tick-Tock中再加入一個“Tock”（semi-Tock），這第二個“Tock”也并非一次巨大的微架構(gòu)更新。
2014 —— 14nm Broadwell (Tick)
2015 —— 14nm Sky Lake (Tock)
2016 —— 14nm Kaby Lake (Tock)
2017 —— 10nm Cannon Lake (Tick)
2018 —— 10nm Ice Lake (Tock)
2019 —— 10nm Tiger Lake (Tock)
2020 —— 7 nm TBD (Tick)
2021 —— 7 nm TBD (Tock)
2022 —— 5 nm TBD (Tick)
拿14nm制程芯片家族為例，Broadwell把Intel芯片帶入到14nm工藝制程時代，而Skylake則帶來了架構(gòu)的性能提升，即將到來的Kaby Lake則是14nm制程芯片的第二次架構(gòu)提升。
Intel官方稱，為了能夠保持這個發(fā)展進度，Intel計劃在2016年下半年開始生產(chǎn)第三代14nm制程的芯片，代號為Kaby Lake，該系列芯片將在Skylake微架構(gòu)的基礎(chǔ)上進一步提升性能。
在2017年下半年，Intel計劃推出第一代10納米級的芯片，代號為Cannon Lake。三代的更迭能夠保證Intel平穩(wěn)過渡到10nm制程。并且，“Cannon Lake將于2017年第二季度發(fā)布”這一消息已經(jīng)得到了官方確認。
此外，Motely Fool的報道還顯示，Intel將在2018年推出第二代10 nm處理器Ice Lake，2019年推出第三代10 nm處理器Tiger Lake。
Cannon Lake雖然會把工藝拉到10nm制程上，但絕大部分的架構(gòu)仍將和Kaby Lake相同。10nm制程的真正實力將在全新的微處理器架構(gòu)Ice Lake上得以爆發(fā)。
雖然目前還不知道Ice Lake的更多消息，但先前的報道顯示，Intel將把Haswell中的FIVR（全集成式電壓調(diào)節(jié)模塊）重新置入其中。
理論上，雖然內(nèi)置FIVR會增加部分芯片面積，但對電壓的控制會更加精確，從而實現(xiàn)更加省電，但這一點在Haswell上卻并沒有得到體現(xiàn)——由于加入了FIVR，TDP（熱設(shè)計功耗）非但沒有下降，反而從前代的77W進一步增加到了84W。
但Intel顯然并沒有對FIVR技術(shù)完全死心，看來Intel很有可能會把成熟的FIVR技術(shù)重新引入到10nm級芯片中。
在10nm工藝節(jié)點上，Tiger Lake架構(gòu)將成為Intel的第二次“Tock”?！癟iger Lake”這一代號雖然在此前的報道中從未被提及過，但這表明了Intel在10nm的工藝節(jié)點上也將沿用三代。
但是，如果Intel真的要按照這個發(fā)展戰(zhàn)略來不緊不慢地提升自己的技術(shù)，那么臺積電“在2017年達到7nm技術(shù)節(jié)點，2020年達到5nm的技術(shù)節(jié)點”的戰(zhàn)略規(guī)劃顯然要比Intel來的更為樂觀。
“臺積電預(yù)計將在2018年上半年開始生產(chǎn)7nm制程的芯片，不僅如此，我們在極紫外光刻技術(shù)(EUV)上已經(jīng)取得了重大突破，很可能會在5nm工藝制程上應(yīng)用?！?/p>
——臺積電聯(lián)席CEO劉德
而Intel官方則表示，如果在5nm節(jié)點上硅仍然是一個可行的微處理器材料，那么Intel將于2020年開始研發(fā)5nm制程的芯片，我們最早將在2022年才能見到這一芯片。
不過，此前業(yè)內(nèi)的諸多人士都表示硅不會成為5nm級芯片上最具成本效益的材料，并且目前也已經(jīng)有諸多有望代替硅成為新一代芯片原材料的物質(zhì)，如碳納米管等。所以Intel的這個前提有些耐人尋味。
雷峰網(wǎng)原創(chuàng)文章，未經(jīng)授權(quán)禁止轉(zhuǎn)載。詳情見轉(zhuǎn)載須知。
