6
| 本文作者： 訾竣喆 | 2016-01-25 17:09 |
據(jù)外媒Motely Fool報(bào)道稱，Intel計(jì)劃將在2017年才會(huì)發(fā)布10nm制程芯片，取代自2015年延續(xù)至今的14nm級(jí)芯片。
而第七代微處理器架構(gòu)Kaby Lake計(jì)劃將于今年晚些時(shí)候推出，這也將是最后一代14nm制程的芯片。在2017年到2019年，Intel仍將推出三代10nm級(jí)芯片，也就是說(shuō)，10nm制程仍將效仿14nm制程沿用三代。
“為了能夠更好的保持‘Tick-Tock’發(fā)展戰(zhàn)略，我們選擇將戰(zhàn)略周期延長(zhǎng)，這樣能夠使我們?cè)诿總€(gè)工藝節(jié)點(diǎn)上獲得更多的改進(jìn)時(shí)間。這一優(yōu)化保證我們能夠向客戶提供更加可靠的芯片，提升Intel的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。這也是對(duì)“摩爾定律已死”的有力駁斥。最近的兩次技術(shù)升級(jí)表明，現(xiàn)在Tick-Tock的周期已經(jīng)從兩年延長(zhǎng)到了2.5年?！?/p>
在這幾年來(lái)從22nm向14nm的過(guò)渡中，Intel已經(jīng)吃到了苦頭。由于已預(yù)見的因工藝難度提升所導(dǎo)致的產(chǎn)能不足，Intel目前已經(jīng)在積極推進(jìn)10nm芯片工藝的生產(chǎn)開發(fā)進(jìn)度，以保證能夠在2017年準(zhǔn)時(shí)推出Cannon Lake系列芯片。Intel在此前的報(bào)告中曾表示，Tick-Tock的周期現(xiàn)在已經(jīng)從兩年延長(zhǎng)到了2.5年。
在Broadwell之前，Intel一直嚴(yán)格遵循Tick-Tock發(fā)展戰(zhàn)略周期，每一次“Tick”代表著微處理器架構(gòu)的芯片制程得到提升；而每一次“Tock”則代表著在新一代芯片制程的基礎(chǔ)上，對(duì)微處理器的架構(gòu)進(jìn)行升級(jí)。
而這一發(fā)展戰(zhàn)略正在由于工藝難度的逐年提升而逐漸放緩，Intel正在試圖在Tick-Tock中再加入一個(gè)“Tock”（semi-Tock），這第二個(gè)“Tock”也并非一次巨大的微架構(gòu)更新。
2014 —— 14nm Broadwell (Tick)
2015 —— 14nm Sky Lake (Tock)
2016 —— 14nm Kaby Lake (Tock)
2017 —— 10nm Cannon Lake (Tick)
2018 —— 10nm Ice Lake (Tock)
2019 —— 10nm Tiger Lake (Tock)
2020 —— 7 nm TBD (Tick)
2021 —— 7 nm TBD (Tock)
2022 —— 5 nm TBD (Tick)
拿14nm制程芯片家族為例，Broadwell把Intel芯片帶入到14nm工藝制程時(shí)代，而Skylake則帶來(lái)了架構(gòu)的性能提升，即將到來(lái)的Kaby Lake則是14nm制程芯片的第二次架構(gòu)提升。
Intel官方稱，為了能夠保持這個(gè)發(fā)展進(jìn)度，Intel計(jì)劃在2016年下半年開始生產(chǎn)第三代14nm制程的芯片，代號(hào)為Kaby Lake，該系列芯片將在Skylake微架構(gòu)的基礎(chǔ)上進(jìn)一步提升性能。
在2017年下半年，Intel計(jì)劃推出第一代10納米級(jí)的芯片，代號(hào)為Cannon Lake。三代的更迭能夠保證Intel平穩(wěn)過(guò)渡到10nm制程。并且，“Cannon Lake將于2017年第二季度發(fā)布”這一消息已經(jīng)得到了官方確認(rèn)。
此外，Motely Fool的報(bào)道還顯示，Intel將在2018年推出第二代10 nm處理器Ice Lake，2019年推出第三代10 nm處理器Tiger Lake。
Cannon Lake雖然會(huì)把工藝?yán)?0nm制程上，但絕大部分的架構(gòu)仍將和Kaby Lake相同。10nm制程的真正實(shí)力將在全新的微處理器架構(gòu)Ice Lake上得以爆發(fā)。
雖然目前還不知道Ice Lake的更多消息，但先前的報(bào)道顯示，Intel將把Haswell中的FIVR（全集成式電壓調(diào)節(jié)模塊）重新置入其中。
理論上，雖然內(nèi)置FIVR會(huì)增加部分芯片面積，但對(duì)電壓的控制會(huì)更加精確，從而實(shí)現(xiàn)更加省電，但這一點(diǎn)在Haswell上卻并沒(méi)有得到體現(xiàn)——由于加入了FIVR，TDP（熱設(shè)計(jì)功耗）非但沒(méi)有下降，反而從前代的77W進(jìn)一步增加到了84W。
但I(xiàn)ntel顯然并沒(méi)有對(duì)FIVR技術(shù)完全死心，看來(lái)Intel很有可能會(huì)把成熟的FIVR技術(shù)重新引入到10nm級(jí)芯片中。
在10nm工藝節(jié)點(diǎn)上，Tiger Lake架構(gòu)將成為Intel的第二次“Tock”?！癟iger Lake”這一代號(hào)雖然在此前的報(bào)道中從未被提及過(guò)，但這表明了Intel在10nm的工藝節(jié)點(diǎn)上也將沿用三代。
但是，如果Intel真的要按照這個(gè)發(fā)展戰(zhàn)略來(lái)不緊不慢地提升自己的技術(shù)，那么臺(tái)積電“在2017年達(dá)到7nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)，2020年達(dá)到5nm的技術(shù)節(jié)點(diǎn)”的戰(zhàn)略規(guī)劃顯然要比Intel來(lái)的更為樂(lè)觀。
“臺(tái)積電預(yù)計(jì)將在2018年上半年開始生產(chǎn)7nm制程的芯片，不僅如此，我們?cè)跇O紫外光刻技術(shù)(EUV)上已經(jīng)取得了重大突破，很可能會(huì)在5nm工藝制程上應(yīng)用?！?/p>
——臺(tái)積電聯(lián)席CEO劉德
而Intel官方則表示，如果在5nm節(jié)點(diǎn)上硅仍然是一個(gè)可行的微處理器材料，那么Intel將于2020年開始研發(fā)5nm制程的芯片，我們最早將在2022年才能見到這一芯片。
不過(guò)，此前業(yè)內(nèi)的諸多人士都表示硅不會(huì)成為5nm級(jí)芯片上最具成本效益的材料，并且目前也已經(jīng)有諸多有望代替硅成為新一代芯片原材料的物質(zhì)，如碳納米管等。所以Intel的這個(gè)前提有些耐人尋味。
雷峰網(wǎng)原創(chuàng)文章，未經(jīng)授權(quán)禁止轉(zhuǎn)載。詳情見轉(zhuǎn)載須知。
