從14nm FinFET工藝節(jié)點(diǎn)開(kāi)始，三星似乎在追隨摩爾定律的道路上已經(jīng)領(lǐng)先了臺(tái)積電和英特爾一個(gè)身為。去年年底，三星曾對(duì)外公開(kāi)了其10nm晶圓的模型，而現(xiàn)在這一工藝已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)了。

據(jù)外媒報(bào)道，三星今日上午宣布其10nm制程工藝已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)，而搭載該工藝芯片的產(chǎn)品將會(huì)在明年問(wèn)世，Galaxy S8（Exynos 8895處理器你）可能會(huì)成為首款使用這一業(yè)界最先進(jìn)工藝的機(jī)型。

那么三星的10nm工藝相比14nm有哪些突破呢？

據(jù)三星方面介紹，10nm工藝生產(chǎn)制造的芯片將在性能上能夠提升27%，而且功耗還能降低40%。另外，預(yù)計(jì)每塊晶圓上的芯片數(shù)量還將多30%。所以，如果不考慮良率的話，三星10nm工藝將是業(yè)界最先進(jìn)的芯片工藝。

對(duì)此，三星電子代理業(yè)務(wù)部執(zhí)行副總裁Jong Shik Yoon表示，“業(yè)界首批大規(guī)模生產(chǎn)10nm FinFET技術(shù)產(chǎn)品，證明了我們?cè)谙冗M(jìn)工藝技術(shù)方面的領(lǐng)先地位，并表示公司將繼續(xù)推進(jìn)縮放技術(shù)?！?/p>

隨著三星10nm工藝的量產(chǎn)，意味著10nm工藝制造的處理器將成為明年高端手機(jī)的標(biāo)配，這其中除了Exynos 8895之外，驍龍830也將毫無(wú)懸念采用最新的工藝。

不過(guò)，根據(jù)三星的介紹，其量產(chǎn)的10nm工藝是10LPE（low-power early），也就是所謂的低功耗版本，明年會(huì)出現(xiàn)第二個(gè)版本，即10LPP（low power plus, advanced power processing），這被業(yè)界稱為高性能版，類似的區(qū)分在三星的14nm FinFET上也存在過(guò)。

臺(tái)積電和英特爾的新工藝何時(shí)能上？

實(shí)際上，過(guò)去英特爾和臺(tái)積電在芯片工藝上一直遙遙領(lǐng)先，但隨著三星的異軍突起，二者的優(yōu)勢(shì)逐漸消失殆盡，如今已經(jīng)成為了“追趕者”。

據(jù)了解，臺(tái)積電最近在一次內(nèi)部會(huì)議上公布了其最新的路線圖，具體情況是10nm將在年底前進(jìn)入量產(chǎn)，而7nm最早在明年4月進(jìn)行試產(chǎn)。雖然比三星晚了幾個(gè)月，但在驍龍830以及蘋(píng)果A10X處理器訂單的競(jìng)爭(zhēng)上，臺(tái)積電依然有機(jī)會(huì)。

2007年，英特爾曾提出“Tick-Tock”模式，即兩年一個(gè)周期，Tick代表著一代微架構(gòu)的處理器芯片制程的更新，“Tock”代表著在上一次“Tick”的芯片制程的基礎(chǔ)上，更新微處理器架構(gòu)，提升性能。不過(guò)，英特爾在近幾年有意放緩了工藝升級(jí)的步伐，“Tick-Tock”模式已經(jīng)名存實(shí)亡。

由于在14nm節(jié)點(diǎn)上的連續(xù)跳票，10nm工藝也自然比三星和臺(tái)積電晚了不少。根據(jù)英特爾官方提供的信息，其首款10nm處理器Cannon Lake還要等到明年年底才能量產(chǎn)。當(dāng)然英特爾的策略是穩(wěn)扎穩(wěn)打，在技術(shù)的儲(chǔ)備上，英特爾比三星和臺(tái)積電或許還有一絲優(yōu)勢(shì)吧。

大基金總經(jīng)理丁文武曾表示，硅基半導(dǎo)體并不會(huì)因?yàn)槟柖傻慕K結(jié)而消失，相反，還會(huì)存在還多年。但是，后摩爾定律時(shí)代的創(chuàng)新點(diǎn)在哪？這是上游芯片商以及晶圓廠即將面臨的問(wèn)題。

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