上周，Nvidia CEO黃仁勛在臺北電腦展上表示摩爾定律已死（黃仁勛說摩爾定律已死，Nvidia要用人工智能應(yīng)對），不過IBM和三星有不同意見。

雷鋒網(wǎng)消息，日前，IBM聯(lián)合三星宣布了一項名為nanosheets的晶體管制造技術(shù)。該技術(shù)拋棄了標(biāo)準(zhǔn)的 FinFET 架構(gòu)，采用全新的四層堆疊納米材料。這項技術(shù)為研發(fā)5nm芯片奠定了基礎(chǔ)。IBM表示，借助該項技術(shù)，芯片制造商可以在指甲蓋大小的芯片面積里，塞下將近300億個晶體管。要知道，高通不久前發(fā)布的采用10nm工藝的旗艦芯片驍龍835，也才不過集成了30億個晶體管。

5nm芯片將采用與7nm芯片相同的紫外線光刻技術(shù)。不過與現(xiàn)有技術(shù)相比，新一代工藝的光波能量將高出許多，同時還支持在制造過程中持續(xù)調(diào)節(jié)芯片的功耗和性能。

IBM表示，相比目前最先進的10nm芯片，5nm 原型芯片在額定功率下的性能可提升40%，或在同等性能下降低高達75%的能耗，而且成本更加低廉。

不過鑒于10nm工藝也才剛剛投入商用不久，7nm芯片則要等到2019年，5nm工藝仍然需要漫長的等待。

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