國(guó)際會(huì)議公布開元侵權(quán)是一件罕見(jiàn)事件，但就像今年很多不可思議的黑天鵝事件一樣，他就是發(fā)生了。開元通信和集微網(wǎng)想把他解釋成美方打壓和國(guó)內(nèi)廠商內(nèi)斗，可是關(guān)鍵問(wèn)題是，Ruby博士指責(zé)侵權(quán)的是不是開元? 作為濾波器行業(yè)的技術(shù)權(quán)威，他說(shuō)謊了嗎？這是個(gè)很簡(jiǎn)單的非此即彼問(wèn)題，他如果沒(méi)有說(shuō)謊，那么誰(shuí)在說(shuō)謊?

事件發(fā)生后，開元通信方面先是質(zhì)疑會(huì)議不正規(guī)，違反行規(guī)云云。但是，這個(gè)會(huì)議是濾波器行業(yè)頂尖科學(xué)家的行業(yè)聚會(huì)，參會(huì)的都是科學(xué)家，也包括國(guó)內(nèi)科學(xué)家，需要有人教育他們什么是行規(guī)嗎？他們沒(méi)有排斥中國(guó)，相反特意將這次聚會(huì)放在中國(guó)舉辦，會(huì)議中大量引用中國(guó)文獻(xiàn)，也強(qiáng)調(diào)了中國(guó)學(xué)者在濾波器研究上的成就貢獻(xiàn)，提到開元侵權(quán)僅僅是會(huì)議中的一個(gè)片段，他們不是為了攻擊一個(gè)企業(yè)來(lái)開這個(gè)會(huì)的。

全世界的濾波器企業(yè)互為競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，但他們各自的科學(xué)家卻坐在一起開會(huì)討論怎樣提升濾波器技術(shù)，他們各自都有原創(chuàng)技術(shù)，互相尊重，這個(gè)不值得我們深思嗎？開元通信最應(yīng)該問(wèn)問(wèn)自己：“開元的自主創(chuàng)新能力這么強(qiáng)，這些科學(xué)家為什么沒(méi)有邀請(qǐng)開元？”。會(huì)議中明明有大量的國(guó)內(nèi)科學(xué)家啊。

針對(duì)此事件，集微網(wǎng)為開元通信辯解說(shuō)，Ruby博士得到的開蓋圖來(lái)自第三方公司，又說(shuō)開元并不侵犯Broadcom專利，證據(jù)是錦天城律所出具的法律意見(jiàn)。請(qǐng)問(wèn)，Ruby博士是不是FBAR技術(shù)的發(fā)明人，行業(yè)泰斗？開蓋圖來(lái)自何方會(huì)影響B(tài)roadcom對(duì)侵不侵權(quán)的判斷嗎？FBAR發(fā)明人的判斷不是更直接嗎？繞了這么多彎子，為什么不直接回答最簡(jiǎn)單的問(wèn)題，Ruby博士指責(zé)侵權(quán)的產(chǎn)品是不是來(lái)自開元通信?

開元也好，代表開元發(fā)聲的集微網(wǎng)也好，解釋這么多，能改變FBAR技術(shù)的發(fā)明人，行業(yè)泰斗宣布開元通信侵權(quán)這個(gè)鐵定事實(shí)嗎？與其天天做PR，不如埋頭做好原創(chuàng)技術(shù)，讓大家挑不出問(wèn)題來(lái)。

我們談到這件事，是恨鐵不成鋼，是痛心疾首為什么有些從業(yè)者不首先搞好自己的原創(chuàng)技術(shù)，真正得到世界科學(xué)家們的尊重，卻花費(fèi)大量金錢和精力在公關(guān)和發(fā)聲明上。接下來(lái)我們就從技術(shù)上一點(diǎn)一點(diǎn)的剖析，講解一下Broadcom的FBAR技術(shù)專利點(diǎn)是什么，以及為什么開元通信侵權(quán)會(huì)引起B(yǎng)roadcom的關(guān)注。

Broadcom的FBAR技術(shù)，它有幾個(gè)關(guān)鍵的特征：空腔，諧振器疊層，諧振器形狀，晶圓級(jí)封裝，諧振器邊緣結(jié)構(gòu)，壓電材料等等。這些特征之間加工方法緊密連接，形成最終的產(chǎn)品。MEMS產(chǎn)品因?yàn)槠浣Y(jié)構(gòu)的復(fù)雜性，加工工藝的特殊性，一家公司，一類產(chǎn)品，只有自己獨(dú)特的一套工藝流程和結(jié)構(gòu)特征。而這些都與公司的技術(shù)演進(jìn)IP資產(chǎn)緊密相連。從博通公司的FBAR經(jīng)歷了不到30年左右的研發(fā)歷程，這一系列的演進(jìn)過(guò)程中積累了383項(xiàng)左右的關(guān)鍵專利。其中專利最密集的申請(qǐng)和授權(quán)期在2003年至2015年之間。這期間也是其FBAR產(chǎn)品性能急劇提升，產(chǎn)品銷售額快速增長(zhǎng)的時(shí)期。業(yè)內(nèi)人士的共識(shí)是，對(duì)于產(chǎn)品包含其多數(shù)關(guān)鍵特征的競(jìng)品來(lái)講，侵犯其專利肯定的，而100%的侵犯其專利則肯定會(huì)遭到博通的阻擊。

筆者這里對(duì)博通公司的相關(guān)專利進(jìn)行了檢索，以期更清楚的了解相關(guān)糾紛的起源。下面是其中選出的筆者認(rèn)為的核心專利，大家簡(jiǎn)單討論一下。

圖1來(lái)自于專利US9219464B2(有效期2030-01-19)。這幅圖代表了博通FBAR產(chǎn)品器件的典型結(jié)構(gòu)，可由此圖幫助說(shuō)明博通公司FBAR產(chǎn)品的四個(gè)關(guān)鍵結(jié)構(gòu)特征部位，而博通公司的核心專利也圍繞其布局。

 圖1：博通FBAR器件邊緣結(jié)構(gòu)及專利圖對(duì)比

部位(1)：FBAR器件的下空腔結(jié)構(gòu)和相關(guān)的制造工藝，下空腔位于襯底內(nèi)，博通稱之為“Swimming Pool”。

部位(2)：復(fù)合下電極層，包括Seed Layer (籽晶層)、下電極的疊層結(jié)構(gòu)，這個(gè)是博通公司的關(guān)鍵專利，確保獲得質(zhì)量?jī)?yōu)異的壓電薄膜的關(guān)鍵所在。

部位(3)：上電極邊緣空氣隙和凸起結(jié)構(gòu)(博通稱之為“Air Frame”)，這個(gè)結(jié)構(gòu)是博通公司FBAR諧振器具有高Q值濾波器具有高性能的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)，電極和壓電層之間有空氣隙，電極邊緣有多臺(tái)階凸起，技術(shù)特征極明顯。針對(duì)這個(gè)結(jié)構(gòu)，博通公司專利保護(hù)囊括了一系列變種衍生結(jié)構(gòu)，保護(hù)范圍非常之廣，業(yè)者需要特別注意侵權(quán)風(fēng)險(xiǎn)。

部位(4)：上電極和壓電層之間的空氣橋結(jié)構(gòu)(博通稱之為“Air Bridge”)，這個(gè)結(jié)構(gòu)是博通公司FBAR器件性能優(yōu)越的保障之一，結(jié)構(gòu)特征特殊且十分明顯，即便是有公司沒(méi)有抄襲博通公司的FBAR器件其他結(jié)構(gòu)，也不敢使用該結(jié)構(gòu)。

圖2來(lái)自于專利US8232845B2(有效期2030-11-02)，代表了博通FBAR產(chǎn)品器件另一個(gè)典型結(jié)構(gòu)即其晶圓級(jí)封裝(WLP, Wafer Level Package)結(jié)構(gòu)，博通公司稱之為“Micro-Cap”，使用Au-Au鍵合，帶凹槽的Silicon Cap wafer實(shí)現(xiàn)帶空氣腔的WLP。該結(jié)構(gòu)是博通公司FBAR產(chǎn)品具有高可靠性高穩(wěn)定性的關(guān)鍵，是其核心專利技術(shù)之一。

 

部位(5)：用于對(duì)FBAR結(jié)構(gòu)完成密封，形成WLP晶粒的Cap Wafer。其中包含TSV，以及用于鍵合及電連接的Gasket (墊圈結(jié)構(gòu))。

接下來(lái)，我們將獲得的有關(guān)開元通信的產(chǎn)品的切片圖和Broadcom的FBAR產(chǎn)品的切片圖以及Broadcom的專利結(jié)構(gòu)做橫向?qū)Ρ?，以此?lái)判斷開元通信的產(chǎn)品到底有無(wú)侵權(quán)Broadcom的專利。

首先來(lái)看博通公司器件結(jié)構(gòu)部位(1)，下空腔結(jié)構(gòu)的部分。如圖3，開元通信的FBAR產(chǎn)品的切片顯示，產(chǎn)品的下空腔結(jié)構(gòu)和Broadcom公司的FBAR產(chǎn)品的切片結(jié)構(gòu)高度一致，Broadcom公司的FBAR下空腔置于襯底內(nèi)和下電極延申到空腔外的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)都在開元通信的產(chǎn)品上看到，事實(shí)上開元通信產(chǎn)品的下電極的刻蝕邊界斜角形貌和相應(yīng)的壓電層的斜坡形貌的結(jié)構(gòu)細(xì)節(jié)特征都和Broadcom公司雷同，開元通信的FBAR產(chǎn)品明顯抄襲Broadcom的產(chǎn)品。Broadcom擁有一系列保護(hù)其下空腔結(jié)構(gòu)和制造工藝的專利，這些專利的權(quán)力要求所定義的FBAR結(jié)構(gòu)特征都體現(xiàn)在了Broadcom的FBAR切片上，毫無(wú)疑問(wèn)，開元通信的產(chǎn)品是侵權(quán)Broadcom專利的。

再來(lái)看博通公司器件結(jié)構(gòu)部位(2)，AlN Seed Layer (籽晶層)、下電極和壓電層的疊層結(jié)構(gòu)。Broadcom的FBAR核心專利體系之一是包含AlN Seed Layer的FBAR電極和壓電層疊層結(jié)構(gòu)和相應(yīng)的制造方法，這個(gè)專利技術(shù)是確保獲得高質(zhì)量壓電薄膜的關(guān)鍵技術(shù)。如圖4，以Broadcom的專利US9608589B2(有效期2033-06-14)為例，專利權(quán)力要求定義了編號(hào)①到⑥的疊層結(jié)構(gòu)，對(duì)比開元通信的FBAR產(chǎn)品的切片，可見(jiàn)開元通信的產(chǎn)品的疊層結(jié)構(gòu)和Broadcom專利結(jié)構(gòu)完全一致，也和Broadcom產(chǎn)品的切片呈現(xiàn)的結(jié)構(gòu)高度吻合，很明顯開元通信的產(chǎn)品是對(duì)Broadcom產(chǎn)品的抄襲，明顯侵權(quán)。

再來(lái)看博通公司器件結(jié)構(gòu)部位(3)，上電極邊緣空氣隙和凸起結(jié)構(gòu)(博通稱之為“Air Frame”)。Broadcom的FBAR產(chǎn)品具有高Q值高性能的關(guān)鍵之一是其器件結(jié)構(gòu)在電極邊緣有空氣隙微結(jié)構(gòu)，Broadcom擁有一系列相關(guān)專利，對(duì)其發(fā)明的各種類型的電極邊緣空氣隙和Frame結(jié)構(gòu)做專利保護(hù)。如圖5，以專利US8384497B2(有效期2031-06-27)為例，其中的一個(gè)空氣隙結(jié)構(gòu)是鈍化層(300) 延申到上電極(12)以外，形成懸臂梁結(jié)構(gòu)(301和302)，并在鈍化層和壓電層(2)之間形成空氣隙(61和62)。觀察開元通信的FBAR產(chǎn)品切片，可見(jiàn)其上電極邊緣也有空氣隙結(jié)構(gòu)，且此結(jié)構(gòu)和Broadcom專利所定義結(jié)構(gòu)的完全一致，無(wú)疑開元通信的FBAR產(chǎn)品結(jié)構(gòu)是侵權(quán)Broadcom專利的。

最后看博通公司器件結(jié)構(gòu)部位(5)，晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，“Micro-Cap”。博通FBAR產(chǎn)品器件的一個(gè)典型結(jié)構(gòu)即其晶圓級(jí)封裝(WLP)結(jié)構(gòu)，博通公司稱之為“Micro-Cap”，帶凹槽的硅蓋晶圓通過(guò)Au-Au鍵合實(shí)現(xiàn)帶空氣腔的WLP結(jié)構(gòu)，此結(jié)構(gòu)是博通公司FBAR產(chǎn)品具有高可靠性的關(guān)鍵核心技術(shù)之一。如圖6，橫向?qū)Ρ乳_元通信的產(chǎn)品和Broadcom的產(chǎn)品，可以非常容易判斷兩者使用了完全相同的WLP技術(shù)，開元通信的產(chǎn)品的典型結(jié)構(gòu)特征落入Broadcom專利US8232845B2（有效期2030-11-02）的專利權(quán)力要求范圍，是明顯侵權(quán)的。

綜上，很容易判斷開元通信的產(chǎn)品是侵權(quán)Broadcom的專利的。值得注意的是，筆者也留意到集微網(wǎng)所發(fā)的“國(guó)際學(xué)術(shù)研討會(huì)引發(fā)本土濾波器廠商躺槍波瀾”一文，提到了專利US8232845B2是有關(guān)有源電路(或?qū)Ｓ眉呻娐?與FBAR集成封裝的技術(shù)方案，因而不構(gòu)成侵權(quán)，筆者認(rèn)為這個(gè)說(shuō)法是非常誤導(dǎo)的。仔細(xì)檢視專利US8232845B2的權(quán)利要求（特別是獨(dú)立權(quán)利要求1），可以非常明確該專利的核心權(quán)利要求是關(guān)于WLP結(jié)構(gòu)的，而這種WLP結(jié)構(gòu)可以用來(lái)集成封裝多種類型的芯片，如若相關(guān)人士不是對(duì)該技術(shù)和專利權(quán)利要求理解不到位不清晰，那么這里就至少有以偷換概念的形式避重就輕之嫌。本次關(guān)于開元通信產(chǎn)品侵權(quán)博通專利的新聞，在網(wǎng)絡(luò)上紛紛擾擾，涉及到FBAR這一復(fù)雜的MEMS器件，很多技術(shù)點(diǎn)并不容易弄明白。筆者希望通過(guò)此文給廣大技術(shù)愛(ài)好者，特別是半導(dǎo)體技術(shù)人員、工程師較為深入的技術(shù)刨析，以便于大家更好地認(rèn)知博通指責(zé)我們國(guó)內(nèi)公司抄襲侵權(quán)其FBAR專利，究竟指的是什么技術(shù)和產(chǎn)品結(jié)構(gòu)。那種用國(guó)內(nèi)律所的法律意見(jiàn)來(lái)證明自己沒(méi)問(wèn)題的做法是在規(guī)避技術(shù)討論，是掩耳盜鈴。無(wú)論如何，筆者希望國(guó)內(nèi)自研FBAR器件的公司能持續(xù)自研道路，積累技術(shù)，能早日直面博通競(jìng)爭(zhēng)而不落下風(fēng)。

雷峰網(wǎng)版權(quán)文章，未經(jīng)授權(quán)禁止轉(zhuǎn)載。詳情見(jiàn)轉(zhuǎn)載須知。