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科學背后是嚴謹?shù)臄?shù)據(jù)，需要經(jīng)年累月的嘗試與驗證，而藝術卻有著無限的想象空間。
「消除負面記憶」，這件我們一直以來希望實現(xiàn)、卻又害怕實現(xiàn)的事情，在不少科幻作品中早有所體現(xiàn)；而在現(xiàn)實生活中，利用基因編輯、注射藥劑等方式消除令人痛苦的回憶，也開始成為眾多科研人員的著眼點。
一組來自意大利博洛尼亞大學的研究人員提出了一種設想：以非侵入性的方式，對大腦特定部位進行磁刺激，從而刪除負面記憶。
當?shù)貢r間 7 月 30 日，他們將實驗成果發(fā)表于學術期刊《當代生物學》（Current Biology），論文題為 State-Dependent TMS over Prefrontal Cortex Disrupts Fear-Memory Reconsolidation and Prevents the Return of Fear（經(jīng)前額葉皮層的狀態(tài)依賴性磁刺激干擾恐懼記憶重建、防止恐懼情緒回歸）。
要刺激大腦消除記憶，首先要找準位置——「背外側前額葉皮層」。
在我們的大腦中，有一塊名為前額葉皮層的部位，認知、情緒、疼痛和行為管理等都與之相關。
顧名思義，前額葉皮層就是我們前額頭后面的那部分大腦皮層，靈長類生物在進化中變化最大的也正是這一部位。
這一部位有多智能呢？如果有人跟你提起一處你曾去過的風景名勝，你的大腦各個部位會提取出相關的信息，比如地理位置、建筑風格、顏色等等，而所有零散的信息只要經(jīng)過前額葉皮層就可得到整合，所有你記憶中關于那個風景名勝的信息得以輸出。
如下圖所示，前額葉皮層包括背外側前額葉皮層（Dorsolateral Prefrontal Cortex，dlPFC）和眶額皮層（Orbitofrontal Cortex），而博洛尼亞大學團隊選擇的是能夠控制記憶檢索、激活記憶、重組記憶的 dlPFC。
找到目標位置后，科研團隊就該考慮如何刺激大腦了。
實際上，要想把一段短期記憶變成長期記憶，大腦就要做出努力，避免這段記憶因為刺激或者傷病受干擾，而這個過程就叫做「固化」（consolidation）。
可見，想要消除一段記憶，就是要完成固化的反過程，將記憶的狀態(tài)由穩(wěn)定變?yōu)椴环€(wěn)定。而這種反過程被科學家們稱為是「反固化」（reconsolidation）。
博洛尼亞大學團隊決定通過重復經(jīng)顱磁刺激（rTMS）的方式進行反固化，這種方式無痛、無創(chuàng)，可以改變 dlPFC 部位神經(jīng)活動的磁場。
至此，消除記憶的原理已經(jīng)很明確了。那么，具體如何操作呢？
研究人員選定了 84 位身體狀況良好（這里指沒有與實驗中將產(chǎn)生的恐懼記憶類似的任何記憶）的參與者進行實驗——參與者接受負面刺激形成恐懼記憶，研究人員于次日（24 小時后）通過提示激活參與者的恐懼記憶并觀察其反應，再對參與者進行 10 分鐘的 rTMS。
這之后，研究人員對參與者進行了皮電反應（GSR）。
所謂皮電反應，實際上是心理學領域的一項情緒生理指標，代表著機體受刺激時皮膚電傳導的變化。這項實驗中，皮膚電傳導的變化反映了 rTMS 的效果好壞。
皮電反應的結果顯示，在 rTMS 次日（24 小時后），參與者對恐懼記憶的生理反應有顯著減少。
值得一提的是，前額葉皮層在一定程度上具有不對稱性，所以研究人員在實驗中分別檢測了參與者左右兩側的 dlPFC 變化，并發(fā)現(xiàn) rTMS 次日（24 小時后）左右兩側 dlPFC 對恐懼記憶的生理反應減少的程度相近——也就是說不論在哪一側，rTMS 都發(fā)揮了積極效用。
不過，研究團隊也發(fā)現(xiàn)下列情況中參與者對恐懼記憶的生理反應并未有任何變化：
在 rTMS 剛進行之后就對參與者進行皮電反應；
對沒有恐懼記憶的參與者進行 rTMS。
更為重要的是，在經(jīng)過 rTMS 之后，參與者的恐怖記憶也并未恢復。
綜合上述結果來看，rTMS 對 dlPFC 的影響將隨著時間的推移而變化；在記憶反固化過程中，以無創(chuàng)的方式刺激大腦消除記憶是可行的。
基于此，研究人員認為：
這些發(fā)現(xiàn)為理解恐懼記憶重新整合的機制提供了方向；同時，對于靶向情緒、適應不良記憶也具有潛在臨床意義。這些發(fā)現(xiàn)將對恐懼癥、創(chuàng)傷后應激障礙、強迫癥等疾病的治療提供思路。
這里需要解釋的是，在強迫癥的范疇中，有一種記憶強迫癥。其原因在于，由于心理防御意識過強，強迫記憶會帶來心理與行為方面的障礙，使得患者整天處于惶恐、焦慮的情緒中。有研究表明，記憶強迫癥患者時常會將大腦空間都留給各種回憶，因此會出現(xiàn)記憶問題。
實際上，各地的研究團隊已經(jīng)研發(fā)出了不少消除負面記憶的技術，比如：
在大腦特定區(qū)域注射異丙酚（一種全身麻醉劑），給藥 24 小時后負面記憶得以被破壞；
利用光遺傳學技術刺激海馬體的特定區(qū)域，實現(xiàn)對消極記憶的消除；
開發(fā)受光遺傳學啟發(fā)的類腦芯片，通過模仿大腦存儲和刪除信息的方式消除消極記憶；
基于基因編輯實現(xiàn)特定記憶的精準刪除。
可見，消除負面記憶已經(jīng)不止存在于藝術家的想象之中，用前沿技術實現(xiàn)科幻作品中的構想成為可能。
引用來源：
https://doi.org/10.1016/j.cub.2020.06.091
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