采用“蠟”冷技術(shù)研究人員們可以輕松地把i7處理器控制在10瓦的最大額定功率，而且間歇性的最大功率可以達(dá)到50瓦——此時(shí)芯片上絕大多數(shù)的二極管都會(huì)被調(diào)用，而主屏也會(huì)非常驚人。

近日，硅谷安全專家Steve Blank指出：“在發(fā)往一些特定市場(chǎng)的處理器當(dāng)中，英特爾與AMD有很大可能留下技術(shù)后門(mén)，允許秘密訪問(wèn)和控制電腦?！庇⑻貭柊l(fā)言人簡(jiǎn)單回應(yīng)：“這種胡說(shuō)八道毫無(wú)根據(jù)”，AMD表示：“保證處理器客戶的安全是AMD的優(yōu)先職責(zé)。這么多年來(lái)，我們一直在芯片內(nèi)加入

聯(lián)發(fā)科正式發(fā)布了宣稱為世界首款真八核的處理器，型號(hào)為MT6592，證實(shí)了之前的傳聞，聯(lián)發(fā)科的這款芯片所宣稱的“真八核”，針對(duì)的是三星年初發(fā)布的Exynos 5八核處理器。三星所宣稱的的八核其實(shí)是4個(gè)Cortex-A15核心和4個(gè)Cortex-7核心的結(jié)合，只能同時(shí)運(yùn)行4個(gè)核心。相比之下，聯(lián)發(fā)

三星目前的Exynos 5八核處理器是在今年的CES上發(fā)布的，而且才剛剛使用到自家的Galaxy S4上。而三星表示其已經(jīng)有新的改進(jìn)版本要發(fā)布了。SamsunyExynos在Twitter上表示一款性能更強(qiáng)大的Exynos八核處理器將在下周發(fā)布。via Engadg

據(jù)韓國(guó)每日經(jīng)濟(jì)報(bào)道，三星將在2015年為蘋(píng)果生產(chǎn)芯片，使用14納米的工藝來(lái)生產(chǎn)蘋(píng)果設(shè)計(jì)的“A9”芯片系統(tǒng)。屆時(shí)將應(yīng)用在"iPhone 7"上。之前華爾街日?qǐng)?bào)報(bào)道蘋(píng)果將和臺(tái)積電合作生產(chǎn)下一代芯片。如果蘋(píng)果延用現(xiàn)行的取名系統(tǒng)的話，臺(tái)積電造的芯片將是A7和A8，制造工藝基于20納米，在20

英特爾本周發(fā)布的新一代酷睿處理器，代號(hào)Haswell ，正準(zhǔn)備給觸摸屏電腦/平板帶來(lái)它們渴求的電池壽命、強(qiáng)悍圖形處理技術(shù)和低功耗，也許一個(gè)平板選擇了這個(gè)“第4代”酷睿處理器的會(huì)立馬提高幾個(gè)檔次，也可能因?yàn)檫@個(gè)處理器而出現(xiàn)一大批性能出色的超極本、平板利器。它代表的是后PC

據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，三星Galaxy Note 3將采用高通驍龍800四核處理器，并非三星自家的Exynos 5410八核處理器。媒體稱高通驍龍800四核處理器的性能比三星Exynos 5410高10%左右，并且內(nèi)嵌新一代LTE芯片，支持LTE/LTE Cat4網(wǎng)絡(luò)，而Exynos處理器需要第三方基帶才能支持LTE，此外高

據(jù)外媒報(bào)道，Intel在移動(dòng)處理器這事上終于熬出頭了——三星的最新一代Galaxy Tab 3將采用代號(hào)為Clover Trail的Intel Atom

有國(guó)外著名評(píng)測(cè)機(jī)構(gòu)對(duì)目前市場(chǎng)上的一些高端手機(jī)進(jìn)行了處理器運(yùn)算速度跑分測(cè)試，測(cè)試發(fā)現(xiàn)三星新機(jī)Galaxy S4的處理器性能最好，分?jǐn)?shù)幾乎是iPhone5的2倍。測(cè)試結(jié)果顯示，Galaxy S4在測(cè)試中的跑分為3163，而iPhone 5在相同測(cè)試中的跑分僅為1596，Galaxy S4下面的是HTC One、Nexus 4

三星近日宣布，業(yè)內(nèi)首款8核移動(dòng)處理器Exynos 5 Octa預(yù)計(jì)將于今年第二季度大規(guī)模量產(chǎn)。“基于多核的高處理性能已成為先進(jìn)移動(dòng)設(shè)備的必須，”三星營(yíng)銷副總裁Kim Tae Hoon說(shuō)，“隨著由Exynos 5 Octa打造的新移動(dòng)平臺(tái)的問(wèn)世，我們可以讓用戶擁有更高級(jí)的移動(dòng)智能體驗(yàn)”據(jù)悉，三星