完成C+輪融資后，賽美特手握近10億現(xiàn)金。

據(jù)悉，賽美特本輪融資資金主要用于產(chǎn)研投入和人才儲備，并加速海外市場拓展，推動國產(chǎn)智能制造軟件解決方案走進(jìn)更多世界工廠。

賽美特董事長兼CEO李鋼江表示：“未來，我們將繼續(xù)聚焦國產(chǎn)智能制造軟件解決方案，堅持核心技術(shù)創(chuàng)新，保持產(chǎn)品與客戶需求的深度結(jié)合，以行動踐行‘軟件成就智造’的初心，將賽美特打造成平臺化工業(yè)軟件企業(yè)?！?/p>

目前，賽美特已正式啟動上市流程，并完成了上海證監(jiān)局的上市輔導(dǎo)備案流程。

CIM 掌控半導(dǎo)體制造的生命級系統(tǒng)，覆蓋了產(chǎn)品整個生命周期，被行業(yè)稱為制造的大腦。

本輪融資領(lǐng)投方策源資本表示，賽美特是目前國產(chǎn)半導(dǎo)體CIM廠商中技術(shù)人員最多、產(chǎn)品線最完善、12吋產(chǎn)線案例最豐富的國產(chǎn)系統(tǒng)軟件提供商，打破了相關(guān)技術(shù)封鎖，加速了國產(chǎn)替代進(jìn)程。賽美特自研的CIM解決方案已在多家12吋晶圓廠得到了驗證，協(xié)助12吋晶圓廠商解決高工藝、高成本、高良率、高產(chǎn)量等挑戰(zhàn)。

2023年，賽美特整合推出軟件主品牌PlantU系列，產(chǎn)品覆蓋經(jīng)營管理、生產(chǎn)管理、品質(zhì)管理、排程規(guī)劃、物流自動化、設(shè)備自動化、通用工具等，CIM解決方案矩陣實(shí)現(xiàn)了進(jìn)一步的完善與升級。

賽美特在國內(nèi)市場取得顯著成績，同時在海外市場也實(shí)現(xiàn)了跨越式發(fā)展，業(yè)務(wù)覆蓋新加坡、馬來西亞、日本、東南亞等多個國家和地區(qū)。雷峰網(wǎng)

這是上海陛通半導(dǎo)體能源科技股份有限公司繼2022年12月C輪融資之后的新一輪融資。

本輪融資獲得君桐資本、金浦創(chuàng)新、上?？苿?chuàng)集團(tuán)、浙江發(fā)展資產(chǎn)、賽富管理、三元資本等知名產(chǎn)業(yè)及投資機(jī)構(gòu)的大力支持，力合資本、長江國弘等多家老股東追投。

據(jù)悉，本輪融資后，陛通半導(dǎo)體將持續(xù)加大技術(shù)和產(chǎn)品研發(fā)投入，積聚更多優(yōu)秀人才，推出更多國產(chǎn)高端薄膜沉積設(shè)備品種，加快產(chǎn)業(yè)化布局。

陛通半導(dǎo)體成立于2008年，是一家集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和技術(shù)支持為一體的高端國產(chǎn)半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備的高技術(shù)創(chuàng)新企業(yè)。陛通半導(dǎo)體始終強(qiáng)調(diào)持續(xù)創(chuàng)新的產(chǎn)品研發(fā)能力以及與客戶的緊密合作，至今已經(jīng)擁有73項授權(quán)發(fā)明專利，共計165項其他原創(chuàng)專利，包括國際專利。

目前陛通半導(dǎo)體自研的12吋PECVD、SACVD、磁控濺射PVD、射頻濺射PVD、反應(yīng)離子濺射PVD、Thermal ALD產(chǎn)品已經(jīng)陸續(xù)進(jìn)入國內(nèi)各種類型、各種規(guī)模晶圓廠并成為主力設(shè)備。

同時，陛通半導(dǎo)體的6-8吋磁控濺射PVD的高產(chǎn)能厚鋁工藝、背金工藝、熱鋁填孔槽工藝被大量應(yīng)用于國內(nèi)化合物半導(dǎo)體SiC、GaN、IGBT、MOSFET等功率芯片制造。

摩爾定律的逐漸失效是因為在現(xiàn)有的芯片制造技術(shù)下晶體管都處在一個平面上，其數(shù)量不可能無限增長下去。理論上，芯片的極限制程大約為2nm，現(xiàn)在的芯片制造工藝已經(jīng)在逼近這個極限。雖然IBM等廠商在嘗試3D芯片封裝工藝以延續(xù)摩爾定律，但在3D堆疊上仍然還存在一些技術(shù)問題。

另一方面，目前我國的芯片制造行業(yè)在技術(shù)上落后于世界，較世界先進(jìn)水平仍有距離。特別是先進(jìn)制程工藝芯片的制造在國內(nèi)仍屬空白，這使得我國一些高精尖領(lǐng)域?qū)π酒男枨笸耆蕾囘M(jìn)口。根據(jù)統(tǒng)計，2020年我國在服務(wù)器和計算機(jī)中的CPU國產(chǎn)市占率僅為不到0.5%，國產(chǎn)芯片在高性能計算市場中幾乎沒有存在感。

如今，以中芯國際為代表的中國芯片代工廠商雖然正在迎頭趕上，但要跨越發(fā)達(dá)國家在芯片領(lǐng)域用幾十年時間累積的技術(shù)護(hù)城河，需要新的機(jī)遇。基于納米碳材料晶體管的碳基芯片技術(shù)，也許就是未來國產(chǎn)芯片實(shí)現(xiàn)趕超的機(jī)會。

在芯片行業(yè)整體呼喚變革的當(dāng)下，或許對我國來說這條路上存在新的可能。

替代硅基的次世代技術(shù)——碳基芯片

目前，由于硅基芯片的發(fā)展已經(jīng)逼近極限，各大芯片廠商紛紛尋找芯片行業(yè)在未來新的發(fā)展方向，碳基芯片就是這其中一顆閃亮的新星。

碳基芯片即基于納米碳材料晶體管制造的芯片，碳基芯片已經(jīng)被國內(nèi)外眾多學(xué)者和知名芯片制造企業(yè)認(rèn)為是最可能代替硅基芯片的次時代技術(shù)。

由于石墨烯和納米碳管特殊的幾何結(jié)構(gòu)，電子在這些材料中的傳輸速度大大超出了目前的硅基材料。同時，納米碳結(jié)構(gòu)中沒有金屬中那種可以導(dǎo)致原子運(yùn)動的低能缺陷或位錯，使得其能夠承受的電流強(qiáng)度遠(yuǎn)遠(yuǎn)高出目前集成電路中銅互連能承受的電流上限。

這些性質(zhì)使得納米碳成為了最理想的納米尺度的導(dǎo)電材料。

用納米碳作為材料制造的晶體管，在實(shí)驗室環(huán)境下，其功耗表現(xiàn)優(yōu)于硅晶體管5倍；碳基集成電路的功耗綜合表現(xiàn)優(yōu)于當(dāng)前技術(shù)50倍。

此外，納米碳材料加工溫度低，工作功耗低的特點(diǎn)，使得其易于三維異構(gòu)集成，能夠克服三維集成電路面臨的技術(shù)問題。理論上，采用納米碳材料的三維集成電路與硅基三維集成電路相比功耗具有1000倍的綜合優(yōu)勢。

對于我國在芯片領(lǐng)域技術(shù)落后的現(xiàn)狀，碳基芯片的制造還具有成本低，門檻低的優(yōu)點(diǎn)。

碳基芯片的材料決定了采用在芯片制造領(lǐng)域中相對簡單的平面器件工藝，就可以實(shí)現(xiàn)5nm制程。另外，碳基芯片的制造仍然可以沿用目前的硅基芯片制造設(shè)備，且在設(shè)備比目前先進(jìn)制程工藝設(shè)備落后三代的情況下，仍然可以使得芯片性能與目前先進(jìn)硅基芯片相當(dāng)，這使得我國芯片制造行業(yè)在新賽道上突破“卡脖子”成為可能。

要想實(shí)現(xiàn)碳基芯片的量產(chǎn)，高質(zhì)量的碳晶體管制備技術(shù)至關(guān)重要。根據(jù)IBM沃森研究中心對碳納米管集成電路的規(guī)劃，理想的碳納米管材料應(yīng)為定向排列的碳納米管陣列，最佳間距為5-10nm，即碳管排列密度為100~200根/μm。此外，納米碳管半導(dǎo)體純度必須大于99.9999%，該純度也被成為“六個九水平”。

目前，國內(nèi)外對制備高半導(dǎo)體純度碳納米管已經(jīng)有了一定的研究。2013年IBM的Cao等人制出了半導(dǎo)體純度達(dá)到99%的碳納米管，但該方法制備出的碳納米管密度將會達(dá)到500根/μm，碳納米管的純度和密度都不滿足生產(chǎn)所需。

2016年，北京大學(xué)的彭練矛研究組發(fā)現(xiàn)了一種“蒸發(fā)誘導(dǎo)自組裝”的方法可以在微米尺度上排列碳納米管。隨后，該課題組在2020年通過“維度限制自組裝”和“DNA限制自組裝”的方法制備得到了半導(dǎo)體濃度符合“六個九水平”，密度保持在100~200根/μm的碳納米管，這標(biāo)志著我國碳納米管的制備工藝已經(jīng)達(dá)到了碳基芯片所需的技術(shù)奇點(diǎn)。

而對于碳基集成電路的探索，全世界目前都尚處在起步階段。自2013年斯坦福大學(xué)開發(fā)出首臺完全使用碳納米管打造并能夠成功運(yùn)行簡單程序的電腦以來，對該領(lǐng)域的探索就從未止步。2020年，我國彭練矛-張志勇團(tuán)隊最新成果中碳基集成電路速度達(dá)到了8.06GHz，處于世界一流水平。

總的來看，硅基芯片的發(fā)展總有盡頭，而碳基芯片目前看來最可能是硅基芯片在未來的接棒人。目前，我國在碳基芯片上的理論和實(shí)踐積累都處于世界前列，碳基芯片或許將會成為我國芯片行業(yè)突破技術(shù)護(hù)城河，走向世界的關(guān)鍵。

打破先進(jìn)光刻機(jī)封鎖，國產(chǎn)“芯”彎道超車的機(jī)會

對于這條芯片領(lǐng)域的新賽道，我國各界都相當(dāng)關(guān)注。

從技術(shù)角度來講，我國目前在芯片領(lǐng)域最受擎肘的并不是設(shè)計環(huán)節(jié)，而是其制造環(huán)節(jié)。臺積電和三星擁有著目前最先進(jìn)的5nm芯片制程工藝，而他們技術(shù)的共同點(diǎn)，就是使用了來自荷蘭ASML公司的EUV光刻機(jī)。

一般來講，主流光刻機(jī)技術(shù)分為DUV和EUV技術(shù)，前者意為“深紫外線”，而后者則為“極深紫外線”。DUV光刻機(jī)可以做到25nm制程，Intel憑借雙工作臺模式使其能夠達(dá)到10nm制程工藝。但10nm以下的制程工藝，目前只有EUV光刻機(jī)才能做到。由于西方國家封鎖，我國芯片制造企業(yè)目前無法購買到EUV光刻機(jī)進(jìn)行先進(jìn)制程工藝芯片的制備。

但DUV光刻機(jī)完全可以滿足制備5nm碳基芯片所需的工藝要求。這預(yù)示著未來也許我們可以在不依賴進(jìn)口光刻機(jī)的前提下發(fā)展先進(jìn)制程芯片制造技術(shù)。這實(shí)際上給予了我國芯片行業(yè)彎道超車的機(jī)會。

在2021年IMEC（歐洲微電子研究中心）的公開會議上，與會者提出了四種延續(xù)摩爾定律、打破2納米硅基芯片物理極限的方法。在這四種方法中，碳基芯片的發(fā)展方案得到了專家組的一致認(rèn)可。專家們一致認(rèn)為，碳基芯片將是硅基芯片后，新一代主流芯片技術(shù)。

我國碳基芯片領(lǐng)軍人物彭練矛院士在接受人民網(wǎng)采訪時也曾表露，他認(rèn)為碳基芯片是智慧城市運(yùn)行發(fā)展的最佳選擇。彭院士還預(yù)言：“十五年之后碳基芯片有望成為芯片行業(yè)主流技術(shù)。”

目前，碳基芯片還處在實(shí)驗室研究的初級階段，量產(chǎn)之路仍然“路漫漫其修遠(yuǎn)兮”。根據(jù)初步估算，要想真正完成碳基芯片從實(shí)驗室到辦公室的飛躍，至少需要確保十年以上的持續(xù)資金投入，碳基材料研究投入需要幾十億元。但由于投資回報前景不明朗，市場投資者興趣缺缺。在這種情況下，政府的投入和支持顯得尤為重要。

根據(jù)新華網(wǎng)消息，碳基材料將被納入“十四五”原材料工業(yè)相關(guān)發(fā)展規(guī)劃中。

另外根據(jù)彭博社報道， 2021年我國有一項發(fā)展碳基芯片以幫助中國芯片制造商克服美國制裁的計劃。這足見國家政策上對碳基芯片的支持和對其未來的期望。

在可以想見的未來里，或許國產(chǎn)芯片真的能擎起這桿叫做碳基芯片的槳，在新時代里駛向大海彼岸的遠(yuǎn)方。雷峰網(wǎng)雷峰網(wǎng)雷峰網(wǎng)

昨日，在“2021全球高科技領(lǐng)袖論壇 - 全球CEO峰會&全球分銷與供應(yīng)鏈領(lǐng)袖峰會”上，Cadence公司全球副總裁石豐瑜就以上問題做了一些思考和分享。

石豐瑜本次大會談到：“兩百年前的人，跟二十萬年前的人在生活上沒什么變化。但是，當(dāng)大家把兩百年前的人類跟二十年前的人類相比，就會發(fā)現(xiàn)這個差距已經(jīng)無法想象了。很大一部分原因是摩爾定律加速了人類的發(fā)展。

在石豐瑜看來，芯片制造商已經(jīng)使用了各種手段來跟上摩爾定律的步伐，但還是無法避免摩爾定律的加倍效應(yīng)已經(jīng)開始放緩的事實(shí)，不斷地縮小芯片的尺寸總會有物理極限。誠然，有一些真真實(shí)實(shí)的數(shù)據(jù)，證明摩爾定律發(fā)展的腳步越來越艱難。但是，各行各業(yè)的專家人士都在努力延續(xù)摩爾定律。

最后，石豐瑜表示，“萬物互聯(lián)”后所有的東西都需要半導(dǎo)體，人類對美好生活的向往與需求會激發(fā)人類努力延續(xù)摩爾定律。

以下為石豐瑜演講全文，雷鋒網(wǎng)在不改變愿意的基礎(chǔ)上做出了編輯：

（一）摩爾定律加速了人類發(fā)展

今天就是要把我近期思考的一些的內(nèi)容跟大家做個報告分享，在半導(dǎo)體行業(yè)28年，忽然間看清楚了一些事情，也不清楚對還是錯，我借鑒了一些Cadence的材料，跟大家一起來探討一下。

我在想什么？想人生，想人類。

兩百年前的人，跟二十萬年前的人生活上有什么差別？說實(shí)話，沒啥差別，可能用的工具種類稍微多了一點(diǎn)。

二十萬年前的人類，跟兩萬年前的人相比，生活上有什么差別？兩萬年前的人開始畫畫了，開始祭祀，追思自己的祖先。兩萬年前的人類跟兩千年前的人類相比呢？兩千年前開始有農(nóng)業(yè)、文字，開始有一些藝術(shù)上更精美的創(chuàng)作。兩千年前跟兩百年前的人類相比呢？兩百年前開始有工業(yè)革命了。再靠近幾十年，電力也出現(xiàn)了。

可是，當(dāng)大家把兩百年前的人類跟二十年前的人類相比，就會發(fā)現(xiàn)這個差距已經(jīng)無法想象了。

二十年前，其實(shí)還沒有智能手機(jī)，連支付寶跟微信支付都用不了的時代。但兩年前呢？大家有沒有覺得，兩百萬年前、二十萬年前、兩百萬年前、二十年前、兩年前，以及未來，這個世界會變化什么樣子？為什么？

我想通了一點(diǎn)，跟這位老先生（Gordon Moore）有關(guān)。我讀物理的時候，基本他就是神一樣的存在。1965年時他說到集成電路的發(fā)展，當(dāng)時隔一陣子會講“每兩年”，我折中取了18個月。每18個月到每兩年，在同一片芯片上，基本必須是同一個成本的條件之下，你能塞進(jìn)去的晶體管應(yīng)該是兩倍，這就是所謂的“摩爾定律”。

讀工程、學(xué)物理的人都知道，必須要有可觀察性，要有算式可算出來。嚴(yán)格來講，摩爾定律不是一個定律，是觀察以后的結(jié)果。到后來，這個觀察以后的結(jié)果變成了預(yù)測，預(yù)測變成英特爾公司的企業(yè)使命。又經(jīng)過了二三十年，變成了半導(dǎo)體行業(yè)的使命，變成了我們每個人的使命，每個人都在談摩爾定律。

用1965年到2016年（剛好是整數(shù)）相除，芯片增長了170億倍，這個根本就無法想象，但蘋果公司的M1 CPU塞進(jìn)去的晶體管數(shù)量，大概就是160億根。這個定律到底是18個月翻倍，還是24個月翻倍？這并不重要，重要的是它的量級反映在我們現(xiàn)在每天用的產(chǎn)品上。

所以過去這么多年，會有二十年、兩年前這么快的發(fā)展，很大一部分都是因為摩爾定律。

（二）摩爾定律遇到了什么問題？

摩爾定律看起來很線性，其實(shí)根本不線性，它其實(shí)是指數(shù)曲線，它現(xiàn)在正在提速，往垂直的方向走。最近有很多人開玩笑，走上去的G點(diǎn)在哪？很多人說，或許會出現(xiàn)在2045年，我們可以期待看看摩爾定律發(fā)展下去，到2045年的時候全世界的生活會變成什么樣。

幾年前開始，大家看報紙和雜志都會看到，很多人都在提，摩爾定律是不是走不下去了？是不是要撞到墻了？是不是大家開始沒辦法跟上它的腳步了？

誠然，有一些真真實(shí)實(shí)的數(shù)據(jù)，證明這個腳步越來越艱難。

每一個節(jié)點(diǎn)依次上量的時間點(diǎn)，原來每兩年有一個節(jié)點(diǎn)，到14nm開始已經(jīng)拖慢了，10nm、7nm拖得更慢了。一個芯片的大小，做一個芯片到底能做多大？其實(shí)是用光照決定的，目前大概就是3.3公分×3.3公分的芯片。圖上的紅點(diǎn)，是server級的芯片大小，那個年代做出領(lǐng)先市場的CPU或GPU，大小都離光照機(jī)器人很遠(yuǎn)。但是2016年開始到2017年、2018年，慢慢開始突破光照極限了，這是從另外一個角度來看摩爾定律是不是產(chǎn)生了問題，對我們的生活是不是帶來了影響，這是否表示，我們無法作出效能更高、算力更強(qiáng)的芯片？這會減緩我們整個科技進(jìn)步的腳步，所以大家才會擔(dān)心。

為什么會越走越慢？我們也可以看看到底這幾年來遇到了什么問題。

從1965年到 0.35um、0.25um、0.18um，沒有什么問題，絕大多數(shù)是工程上的問題，工程上的問題努努力就能解決。

接下來，會遇到物理上的問題。

首先，通互聯(lián)。芯片越做越小，塞的晶體管越來越多，用鋁布線，很快就會產(chǎn)生電子遷移的問題，動力變短，芯片用不了幾年會壞掉，也會遇到光刻機(jī)的問題，原來用的光刻機(jī)光源不夠細(xì)，要改成193的，必須從半導(dǎo)體制程工藝?yán)飶匿X改成銅，這對制造工藝來講是非常大的挑戰(zhàn)。

大家看整個構(gòu)造，因為有一些透鏡和光學(xué)系統(tǒng)，要細(xì)一點(diǎn)，193nm的光源，極限大概是45nm，就沒辦法再微縮下去了。這時候就有更聰明的人在想，透鏡沒辦法解決，能不能在透鏡和微片之間加一滴水，水能夠折射，把它從45nm往下微縮一些，所以最后有一個浸沒式的光刻出來。

做到了28nm，然后又遇到了問題，開始漏電，所以只能換材料。原來用的是偏氧化硅的東西，中間的絕緣層要全部換掉，這種更換，代表了物理、制程上的挑戰(zhàn)，有各式各樣的實(shí)驗。

再往下走大家就知道了，2D解決不了漏電、質(zhì)量的問題，但是有FinFET出來，本身晶體管的構(gòu)架變成了3D，就像長了一個翅膀一樣。因為光源沒有解決，所以從10nm、7nm開始，要用多層光照畫線，原來畫一條線就可以解決，現(xiàn)在光本身就比線要粗，怎么辦？左邊曝一次光，右邊曝一次光，中間留下的細(xì)縫，剛好就是6nm，但制程成本會非常高。

種種的物理問題，層出不窮地出現(xiàn)，我們接下來還可以看到，有更多的問題要解決。不過重點(diǎn)是，這些問題也算解決了。

中軸，是Cadence公司為了解決這個問題寫的行數(shù)，從“0.35um”一直到今天做到10nm、7nm的時候，原來幾十萬行、幾百萬行的程序，大概已經(jīng)到了幾千萬行，完全不輸一臺自駕車，很難超過一臺自駕車。

同樣帶來的問題，無論從制程上來看，還是從EDA編程角度來看，每一個晶體管的成本開始往上跳，成本觸底。

1965年到觸底為止，每一根晶體管的價格在每一個時代都是往下掉的，所以說不需要花腦筋，就可以往下一個制程工藝走，除非你用不了這個工藝，只要你的量不會差太多，就可以省錢，這是半導(dǎo)體過去幾十年來發(fā)展的真正定律。

可是到了20nm、16nm后，成本開始增加了，大部分做生意的人開始問自己，到底要不要用下一代制程，用了有什么好處，省的是什么成本，如果把成本所有東西包進(jìn)去，你的成本越來越高，到底能不能做？

就在20nm的時候，我也參加過行業(yè)很多討論，大家覺得半導(dǎo)體幾乎快走到終點(diǎn)了，尤其是硅，成本增加后，還有幾家公司會用這個制程工藝？

16nm的時候，幾家做手機(jī)的基本不做了，但是10nm的時候，還有人走下去。所以有人開始想5nm、3nm這些瘋狂的技術(shù)，你要想辦法繼續(xù)曝光，想辦法用更多新的構(gòu)造，怎么可能會有人用？告訴大家，今天在中國，設(shè)計16nmFinFET以上的企業(yè)接近五十家，這僅僅是中國的數(shù)據(jù)而已。

可能很多人覺得，好日子是不是要結(jié)束了？沒有不散的宴席。

1990年我在美國讀書，教授是一個牛人，有一次他上課的時候跟我們講：“孩子們，硅看起來沒戲了，你們趕快另外找出路吧”。我還好沒聽他的話，如果聽了他的話，估計現(xiàn)在悔得腸子得青了。

為什么他會這么說？就是因為剛才看到的這些物理的挑戰(zhàn)。從做科研的角度來看，這些東西或許不可解決，或許解決后沒有經(jīng)濟(jì)效益，所以趕快看看別的材料，找軟件。三十年前，我還只是一個小伙子，現(xiàn)在變成了中年人了，摩爾定律依然還健在。

這是1955年開始半導(dǎo)體全世界的產(chǎn)值；到1980年代，半導(dǎo)體是為了服務(wù)To B市場，大型機(jī)、通信、交換機(jī)；90年代開始，To C出現(xiàn)了，PC機(jī)出現(xiàn)了，逐漸有一些量級出現(xiàn)了，跟過去的大型機(jī)的量級不一樣，一旦有了數(shù)量，你就有辦法攤提掉非常高的研發(fā)成本。

2016年后，To B跟To C同時間都出來了，這時候有了云，大家想想數(shù)據(jù)中心需要多少半導(dǎo)體？一個4G/5G的基站，需要多少的半導(dǎo)體，這是過去大家無法想象的。

手機(jī)和終端帶來了另外一波的增長，我們現(xiàn)在正在享受這一波的增長。這些增長跟我剛剛講的經(jīng)濟(jì)效益有什么差別？它代表的不是只有一個量級。今天如果你買一臺DVD機(jī)，下一代你要買的時候，還是一臺DVD機(jī)，基本你就是看電視、看片子，它變貴了，你肯定不買。你要多付錢的時候，就必須通過摩爾定律往前推進(jìn)，成本要下降。

現(xiàn)在最大的不同在哪？手機(jī)并不只是一個娛樂的終端，云也好，5G也好，帶來的附加價值，對整個經(jīng)濟(jì)和你個人的生產(chǎn)力來說，它變成了生財工具，所以價值從頭到尾不應(yīng)該成為問題，這就是半導(dǎo)體現(xiàn)在欣欣向榮，大家一片看好的原因。

所有的預(yù)測現(xiàn)在來看，2020年到2030年，半導(dǎo)體的產(chǎn)值很可能會從5000億美金變成1億美金，翻一番，變成一個非常巨大的行業(yè)。以我個人的行業(yè)來講，不要跟1億美金的行業(yè)對賭，也不要跟全世界最聰明的人對賭?，F(xiàn)在最聰明的人想跳進(jìn)去，延續(xù)摩爾定律的生命。再往后，2030年后或許不是To B或To C了，“萬物互聯(lián)”，所有的東西都需要半導(dǎo)體，所以“人類對美好生活的向往與需求會延續(xù)著摩爾定律”。

（三）如何延續(xù)摩爾定律

到目前為止我們要延續(xù)摩爾定律，主要靠光刻、新材料，或者是大家覺得比較夢幻的構(gòu)架。一個晶圓廠設(shè)計出一套工藝，這些制程工藝用軟件描述出來，這是不完全連續(xù)，也算連續(xù)的過程。最大的問題是，每一個人都留了一些冗余，這些冗余在摩爾定律這么艱難的狀況下，基本是不應(yīng)該存在的。所以芯片設(shè)計廠商、EDA公司、晶圓廠必須緊密合作，想辦法從合作的環(huán)節(jié)里萃取/榨取一些價值出來，想辦法把摩爾定律再往前推進(jìn)一、兩代。大家不要小看這些冗余和效率，跟一家公司合作，有可能會多延續(xù)半代或一代以上。

再下一步，就走到了系統(tǒng)。半導(dǎo)體也好，芯片也好，最終要服務(wù)于系統(tǒng)，我們有沒有可能把它從系統(tǒng)拉進(jìn)來，大家抱團(tuán)做成one team，把誤會全部消除，做成system-technology CO-OPTIMIZATION。

摩爾定律就說到這里，接下來我想說摩爾定律還會遇到各式各樣的問題，這些問題都需要全世界最聰明的人解決，也要投入大量的金錢。不過從現(xiàn)在來看，未來五年、十年我們看到了一些亮光，如果大家的年紀(jì)跟我一樣，我們大概可以干到退休。就算摩爾定律走不下去，還有一二十年的生命可以繼續(xù)往前延續(xù)。

接下來講講我們會遇到什么問題。這不是摩爾定律本身帶來的問題，而是摩爾定律帶來的復(fù)雜度、成本定律帶來的問題。包括：制造周期越來越高，設(shè)計效率越來越長，犯一個錯誤代價非常高昂的。

比如，送到晶圓廠生產(chǎn)就需要四五個月，回來發(fā)現(xiàn)有bug，修一修再送過去，又需要四五個月，一年時間就過去了。哪一個市場會等你一年？沒有人會等你，因為成本太高了。還有找不到人的問題，培養(yǎng)一代半導(dǎo)體的專家和優(yōu)秀工程師需要很長的時間，這個時間也耗不起。這些問題大家都很頭疼，大家可以跟Cadence合作。

90年代我讀書的時候，power講的就是晶體管本身的power，其他的power都不是問題。現(xiàn)在的問題開始多了，internal的power占49%。switching（拉線）的power，你越做越細(xì)，越拉越長，阻抗越來越高，現(xiàn)在也占到49%，拉線拉得好不好，決定一顆芯片的功耗，也就是熱的表現(xiàn)。

GPU里還有一個更懸乎的東西，就是有一個新的power出現(xiàn)，叫Glitch power，7nm占20%，5nm占30%，這個不能不管，假設(shè)有6根信號送到一個組合邏輯里，如果到的預(yù)期跟你想的不一樣，先到的會跳動，所以會耗電，這個耗電能達(dá)到20%-30%，無法想象，這個不要自己解決，要讓工具解決，別相信你公司老師傅的話，他解決不了的。

這個解決方式，并不是說最后芯片設(shè)計完之后才知道有這么多問題，寫RTU的時候就要知道有這么多的問題出現(xiàn)，要馬上修正。RTU怎么可能馬上看到power？我們正在做這個努力，這不是一個工具的問題，是一串工具作出的解決方案，讓客戶現(xiàn)在能夠算power，從RTU階段算到最后。算一秒沒什么了不起，可是今天算一秒鐘，可能就需要三天或一個禮拜，那這就不是解決方案。

我們希望有一天，在很靠近的未來，就在這幾個月內(nèi)，我們就有一個解決方案，讓你一秒鐘可以在一個小時內(nèi)跑完，這樣你可以跑六十秒，可以看到整個power，盡早把你的構(gòu)架進(jìn)行修改。

包括人找不到的問題，那就多買點(diǎn)工具。一個人原來只用一套工具，你讓一個人用三套工具怎么樣？絕對用得過來，就看你的方法學(xué)、流程怎么定，看你怎么跟Cadence談。

人工智能有很多種的方法，整個流程從構(gòu)架開始，到最后步驟，切成二三十段，每一段都可以有兩個選擇（是非題），大家算算一共有多少。

以整套流程來算，客戶會有8000多萬的選擇，用哪位工程師做最好的選擇，設(shè)計出最小的芯片，功耗又最低？其實(shí)，未來是屬于人工智能，你必須要用有智慧的人，讓它用更短的時間做出來。

我常常問客戶，用人工智能做什么？大部分的客戶回答是“做得更小，做得更快”，我的答案還有一個，“想辦法增加你的設(shè)計效率”。單個人花三個月才能設(shè)計出來的東西，如果一個人花三個禮拜就能設(shè)計好，最后的結(jié)果是一樣的，芯片沒有特別好，但你只要花九分之一的人力就能做好的話，你用不用？這是現(xiàn)在設(shè)計行業(yè)必須面臨的挑戰(zhàn)和機(jī)遇。

最后一個例子，做regression。大家做仿真的時候，最后一秒鐘你的工程師跟你講有小問題，要改一下，絕大部分跑的都是無聊、沒用的工夫，都可以省略掉，但省略到哪里？你看不到。這時候如果有人工智能幫你分析，從你過去仿真的結(jié)果來看，跟你的改動無關(guān)，你可以跳過、省略，最后還可以做到一樣的覆蓋率，你為什么不敢試？歡迎大家跟Cadence試試看，你可以省掉一半以上的時間。

3D-IC，大家應(yīng)該知道，我這里就不贅述了，我主要再講一下它的神奇之處。

3D-IC就是把原來巨大范圍的芯片切兩塊，比如模擬留著，數(shù)據(jù)切下來，用14nm去做模擬，最重要的數(shù)字用7nm，這是一般的做法，分成兩塊。

最近因為客戶的需求，我們有了工具上的進(jìn)步，可以做更好玩的東西。假設(shè)你現(xiàn)在做GPU，5nm就縮不下去了，模擬多撐了幾個時代，用3nm去做，就是在浪費(fèi)自己的錢。

有沒有辦法把一顆芯片里的抽出來，放到另一個芯片上？兩個都變成了一半的大小，功耗可以變低，良品率變高，更重要的是它的性能可以更好。它跟計算單元剛好疊在一起，距離比原來更短，達(dá)到的效能完全不一樣，這才是未來3D-IC真正想走的方向。

我們有一個新產(chǎn)品，Integrity，可以幫你全部整合在一塊。

Cadence是現(xiàn)在全世界唯一一家有數(shù)據(jù)工具、模擬工具、PCB工具的EDA公司，兩年前開始我們正式推出系統(tǒng)工具，你要算熱、電池波都可以，目前在Cadence內(nèi)部并沒有整合完畢，可是我們搭了一個平臺，讓這些所有不同的工具，希望未來有同一個數(shù)據(jù)庫/界面，你可以在同一個界面里互相調(diào)工具，希望你在還不需要流片之前就能找到問題，把芯片設(shè)計出來。

我現(xiàn)在充滿了熱血，跟大家分享未來半導(dǎo)體的發(fā)展有多光明、多有前途。今天時間有限，希望大家跟我們保持聯(lián)絡(luò)。

凌波微步成立于 2020 年，是一家專注自主研發(fā)、生產(chǎn)和銷售半導(dǎo)體封裝設(shè)備及提供解決方案的半導(dǎo)體封裝設(shè)備制造商，主要生產(chǎn)傳統(tǒng)封裝引線鍵合過程中所使用到的 IC 球焊設(shè)備，對標(biāo)國際廠商美國 K&S、荷蘭 ASM 和日本 KAJIO 等。

據(jù)悉，本輪融資將助力凌波微步快速擴(kuò)充產(chǎn)能，加快其在封裝領(lǐng)域其他核心設(shè)備的研發(fā)和市場推廣。

核心團(tuán)隊經(jīng)驗豐富，創(chuàng)始人曾創(chuàng)辦多家半導(dǎo)體公司

凌波微步成立于 2020 年 12 月，核心成員來自 K&S、AMS 等國際一流的半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)，大多數(shù)成員都擁有 20 年以上的半導(dǎo)體設(shè)備從業(yè)經(jīng)驗，公司現(xiàn)有員工 70 人，研發(fā)人員 20 人，在常熟擁有近萬平米的生產(chǎn)基地，深圳和新加坡均設(shè)有研發(fā)中心，總部即將坐落廣州。

凌波微步創(chuàng)始人兼 CEO 李煥然

凌波微步創(chuàng)始人兼 CEO 李煥然擁有香港理工大學(xué)工業(yè)自動化碩士學(xué)位，從事半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè) 30 余年，曾將在 ASM、太古科技、香港新科等多家國際知名公司任職研發(fā)和管理工作，持有多項專利，專注精密自動化設(shè)備和半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)和生產(chǎn)。

李煥然本人創(chuàng)業(yè)經(jīng)歷豐富，在創(chuàng)辦凌波微步之前曾創(chuàng)立過多家半導(dǎo)體設(shè)備相關(guān)公司。

“我喜歡挑戰(zhàn)，特別是技術(shù)上的挑戰(zhàn)，不太滿足于平淡的工作，所以 2005 年開始，我就從一個幾萬人的大公司辭職創(chuàng)業(yè)?！闭劶皠?chuàng)業(yè)的經(jīng)歷，李煥然如此說道。

2002 年，香港 K&S 總部撤除后，李煥然同其在香港 K&S 的朋友共同成立一家專注 K&S 二手球焊機(jī)銷售和服務(wù)的公司。

2005 年，李煥然又同朋友合作在深圳成立一家公司，提供半導(dǎo)體及微電子行業(yè)自動化解決方案，其中為德國 Hesse 公司設(shè)計生產(chǎn)的自動送料系統(tǒng)獲得發(fā)明專利，該系統(tǒng)后續(xù)成為世界上銷量最大的高端半導(dǎo)體楔焊系統(tǒng)。

2010 年，李煥然與其合作伙伴投入應(yīng)用于直插式 LED 球焊機(jī)的研發(fā)，在市場需求下，于 2019 年重新組建團(tuán)隊，研發(fā) IC 球焊機(jī)，直到 2020 年 12 月創(chuàng)立凌波微步。

創(chuàng)新工場投資董事兼半導(dǎo)體總經(jīng)理王震翔表示，創(chuàng)新工場在研究半導(dǎo)體設(shè)備賽道時發(fā)現(xiàn)，半導(dǎo)體設(shè)備涉及到多學(xué)科、跨學(xué)科的研究，開發(fā)周期長，成本高，人才需求大且十分難尋。

但王震翔看好凌波微步，“凌波微步的團(tuán)隊，創(chuàng)始人李煥然擁有 30 多年的行業(yè)積累，核心團(tuán)隊來自 K&S、ASM，具備跨領(lǐng)域和多重 know-how 的積累，我們非常驚喜?！?/p>

掌握三大核心技術(shù)，預(yù)計年產(chǎn)量可達(dá) 2000 臺

如果將半導(dǎo)體設(shè)備進(jìn)一步細(xì)分，可以分為晶圓制造設(shè)備、封裝設(shè)備、測試設(shè)備和其他設(shè)備。

IC 球焊機(jī)是封裝設(shè)備市場難度最高的核心設(shè)備，市場占比 30%。半導(dǎo)體封裝工藝可以分為傳統(tǒng)封裝和先進(jìn)封裝，當(dāng)下的集成電路封裝絕大多數(shù)依然采用傳統(tǒng)封裝，引線鍵合作為傳統(tǒng)封裝中的關(guān)鍵工序，IC 球焊機(jī)不可或缺。在引線鍵合設(shè)備市場中，90% 以上的鍵合設(shè)備都是 IC 球焊機(jī)。

球焊機(jī)的生產(chǎn)流程包括零部件設(shè)計、加工、組裝和整機(jī)、程序的設(shè)計組裝等。凌波微步產(chǎn)品的零部件組裝由供應(yīng)商進(jìn)行，其余設(shè)計、組裝、調(diào)試和質(zhì)量控制等流程由凌波微步自行完成。

盡管 IC 焊球機(jī)的知名度不如光刻機(jī)，但也需要用到超聲波焊接技術(shù)、運(yùn)動控制技術(shù)、精密機(jī)械技術(shù)等逼近物理極限的高門檻技術(shù)，同大多數(shù)半導(dǎo)體設(shè)備一樣被少數(shù)國際巨頭所壟斷。在凌波微步之前，尚未有國產(chǎn)廠商在這一市場實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

李煥然介紹到，凌波微步 IC 球焊機(jī)具備“快、準(zhǔn)、穩(wěn)、慧”四大特點(diǎn)。

具體而言，球焊機(jī)的 XY 平臺加速至 100 公里/小時僅需 0.2 秒，Z 軸焊頭加速至這一速度僅需 0.02 秒；而在高速運(yùn)動后，XY 平臺可以精確停在所需位置，精度在 ±2 微米內(nèi)；同時，焊接力可控制在 ±1g，相當(dāng)于 200 倍法拉利速度輕觸嬰兒皮膚；該設(shè)備在使用過程中高度智能化和自動化，極少有人工介入。

凌波微步也擁有 VR 線弧、全閉環(huán)力控和 20K 采樣頻率運(yùn)動控制等 3 項核心技術(shù)。可視化 VR 線弧技術(shù)讓連接芯片焊盤和引腳的引線編輯容易更改；全閉環(huán)力控能夠精準(zhǔn)控制焊接力，保證焊接質(zhì)量；運(yùn)動控制的采樣頻率確保高精度和高速度。

同國外廠商相比，凌波微波在價格和服務(wù)方面占據(jù)一定優(yōu)勢。

此前，一家電源管理 IC 客戶的芯片需要封裝 7 顆 3 種不同類型的 Die （裸片，指從晶圓上切割出來的一塊具有完整功能的芯片），鍵合線達(dá) 20 條，該電源管理 IC 和傳統(tǒng)的 1-1.5 mil 球焊不同，采用了 2.5 mil 的銅線。凌波微步同客戶共同研發(fā)測試，改進(jìn)設(shè)備，最終完成客戶需求。

“目前我們的設(shè)備在這一客戶處表現(xiàn)出來的穩(wěn)定性和產(chǎn)能都勝出了國際知名品牌，這一客戶的產(chǎn)品保有量超過 150 臺，與國際品牌相比，客戶節(jié)省資本超一千萬人民幣?！崩顭ㄈ槐硎?。

憑借技術(shù)和服務(wù)優(yōu)勢，同時在行業(yè)產(chǎn)能和設(shè)備不足的情況下，國內(nèi)封裝廠對國產(chǎn)求焊機(jī)的態(tài)度更加積極開放，凌波微步擁有更多進(jìn)入市場的機(jī)會。

李煥然稱，目前公司已經(jīng)在同國內(nèi)排名前三封測公司中的兩家公司接觸，目前公司產(chǎn)能壓力很大，正在逐步擴(kuò)大產(chǎn)能，預(yù)計明年產(chǎn)能能夠達(dá)到 1500 臺至 2000 臺。

“市場對于凌波微步的設(shè)備需求量很大，訂單一再激增。截止目前，凌波微步的訂單額已經(jīng)超過一個億，我?guī)缀鯖]有看到任何一個設(shè)備領(lǐng)域的公司能夠發(fā)展如此之快。”王震翔感慨道。

文中圖片源自凌波微步官方  雷鋒網(wǎng)雷鋒網(wǎng)雷鋒網(wǎng)

彌費(fèi)科技表示，本輪融資資金將用于擴(kuò)大公司運(yùn)營規(guī)模、加大研發(fā)投資和拓展海外市場。

公開資料顯示，彌費(fèi)科技成立于 2014 年 11 月，是中國上海的一家科技驅(qū)動型公司，專注于生產(chǎn)、研發(fā)、銷售適用于半導(dǎo)體廠的自動物料搬運(yùn)系統(tǒng)（AMHS, Automated Material Handling System）。

作為中國首家提供半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的自動化傳送系統(tǒng)供應(yīng)商，彌費(fèi)科技自 2016 年起陸續(xù)為國內(nèi)外多個 8 英寸和 12 英寸晶圓廠提供 AMHS 產(chǎn)品，包括調(diào)度軟件、傳送及存儲設(shè)備，并為 40/28 納米及以下先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)提供凈化設(shè)備，主要客戶覆蓋國內(nèi)外知名晶圓代工廠。

在晶圓廠中，AMHS 是工廠稼動率及品質(zhì)一致性的重要保證之一。以目前中國大陸量產(chǎn)的 28nm 工藝節(jié)點(diǎn)為例，一個 4 萬片月產(chǎn)能 28 nm工藝節(jié)點(diǎn)的全自動晶圓廠每天的晶圓盒傳送量超 10 萬次，此時 AMHS 系統(tǒng)就會發(fā)揮作用，其高效率、高可靠和低塵、低振動的特點(diǎn)，能夠提高效率和晶圓生產(chǎn)品質(zhì)，因此成為先進(jìn)工藝晶圓廠大規(guī)模量產(chǎn)的必備系統(tǒng)。

彌費(fèi)科技創(chuàng)始人兼 CEO 繆峰告訴雷鋒網(wǎng)，過去很長一段時間，用于半導(dǎo)體晶圓廠的 AMHS 系統(tǒng)幾乎被國外的半導(dǎo)體設(shè)備公司壟斷，彌費(fèi)科技的出現(xiàn)正在打破這一局面。

不過，繆峰同時表示：“我們只是短期內(nèi)聚焦在半導(dǎo)體晶圓廠這一重要的細(xì)分賽道，未來將依托于在這一賽道積累的核心競爭力，向其他智能制造領(lǐng)域拓展?！?/p>

彌費(fèi)科技團(tuán)隊核心成員均來自國內(nèi)外一線集成電路晶圓廠和半導(dǎo)體設(shè)備公司，創(chuàng)始人兼 CEO 繆峰在集成電路及微電子行業(yè)已積累 15 年經(jīng)驗，曾在數(shù)家半導(dǎo)體晶圓廠和半導(dǎo)體設(shè)備廠商擔(dān)任一線技術(shù)崗位，是晶圓廠自動化生產(chǎn)方面的專家。

對于此次融資，繆峰表示：“伴隨過去幾年的探索，公司從 AMHS 外圍產(chǎn)品開始，現(xiàn)已步入了核心產(chǎn)品研發(fā)階段，需要更多人才助力加速核心技術(shù)突破。A 輪融資是彌費(fèi)科技踏入資本市場的第一步，也是加速公司為晶圓廠客戶提供整套 AMHS 的重要一步，我們希望通過人才、資本與產(chǎn)業(yè)資源的匯聚，成為真正具備國際競爭力的半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)。”

雷鋒網(wǎng)雷鋒網(wǎng)

每種缺陷檢測技術(shù)都涉及到各種權(quán)衡，但由于EUV引起的隨機(jī)缺陷最終會影響芯片的性能，在晶圓廠里使用一項或多項檢測技術(shù)是非常必要的。

EUV光刻用于晶圓廠的芯片生產(chǎn)，它使用一個巨大的掃描儀在高級節(jié)點(diǎn)上對芯片的微小特征進(jìn)行圖案化，在操作中，EUV的掃描儀產(chǎn)生光子，最終與晶圓上的光敏材料光刻膠相互作用，以形成精確的特征化圖案。

不過，并不是每次都可以實(shí)現(xiàn)精確圖案化，在EUV中，光子撞擊光刻膠發(fā)生反應(yīng)且這一動作重復(fù)多次，這些過程充滿不可預(yù)測性和隨機(jī)性，可能會產(chǎn)生新的反應(yīng)，也就是說EUV光刻工藝容易出現(xiàn)所謂的隨機(jī)性，是具有隨機(jī)變量的事件，這些變化被統(tǒng)稱為隨機(jī)效應(yīng)。隨機(jī)效應(yīng)有時會導(dǎo)致芯片中出現(xiàn)不必要的接觸缺陷或有粗糙度的圖案，兩者都會影響芯片的性能，甚至導(dǎo)致設(shè)備出現(xiàn)故障。

EUV光刻機(jī)，圖片源自ASML

在過去的幾年中，這些問題在傳統(tǒng)的光刻技術(shù)中基本被忽略了。但對于EUV而言，隨機(jī)效應(yīng)成為主要問題之一，越高級的節(jié)點(diǎn)，隨機(jī)效應(yīng)越嚴(yán)重。盡管該行業(yè)已經(jīng)找到了通過改進(jìn)光刻膠和工藝來緩解問題的方法，但隨機(jī)效應(yīng)引發(fā)的缺陷依然會突然出現(xiàn)，給代工供應(yīng)商及客戶帶來麻煩。

“這意味著隨機(jī)性作為一個重要問題永遠(yuǎn)不會消失，”Fractilia 的 CTO Chris Mack 說。“有時在10納米或7納米節(jié)點(diǎn)附近，隨機(jī)效應(yīng)成為圖案變化的主要來源。這主要是因為所有其他變化來源都在變小。隨機(jī)效應(yīng)卻沒有——或者至少它沒改進(jìn)得那么多或那么快。在總變化中，隨機(jī)效應(yīng)變化所占比例越來越大?！?/p>

因此，了解這些影響勢在必行，并且在晶圓廠中定位芯片中隨機(jī)效應(yīng)引起的缺陷也同樣重要。幸運(yùn)的是，最近有幾家公司開發(fā)了各種工具，可以在當(dāng)今EUV工藝中定位甚至預(yù)測芯片中的這些缺陷。展望未來，面對5nm以及更先進(jìn)的節(jié)點(diǎn)，一些廠商正在推出新方法或改進(jìn)方法查找或預(yù)測這些缺陷，包括：

• 設(shè)備供應(yīng)商正在突破光學(xué)檢測的極限，以檢測隨機(jī)效應(yīng)引起的缺陷；

• 一類新的電子束檢測工具正在為此應(yīng)用發(fā)展；

• 新的軟件工具正在開發(fā)中，使用戶能夠?qū)θ毕葸M(jìn)行分類、建模和預(yù)測；

• 電氣測試也在進(jìn)行中。

令人困擾的隨機(jī)效應(yīng)

一顆芯片的誕生需要經(jīng)過多重工藝步驟，光刻一直是最為復(fù)雜的工藝之一。多年來，芯片制造商使用基于193nm波長光刻系統(tǒng)在芯片上進(jìn)行特征圖案化，但當(dāng)工藝節(jié)點(diǎn)達(dá)到5nm時，使用多重圖案化變得十分困難。

EUV簡化了傳統(tǒng)光刻流程，使芯片制造商能夠掃描7nm及以下的特征圖形。“當(dāng)您使用EUV時，光罩的次數(shù)就會減少，這是因為EUV將行業(yè)帶回了單一模式，193nm的圖案浸沒需要更多的高級節(jié)點(diǎn)掩膜?！?D2S的首席執(zhí)行官藤村明（Aki Fujimura）說：“有了EUV，掩膜次數(shù)減少了，但每層EUV光罩成本更貴。”

圖一：典型的光刻處理步驟順序。來源：Fractilia

2018年，三星和臺積電就在7nm節(jié)點(diǎn)使用了EUV光刻，現(xiàn)在這兩家公司都在5nm處使用EUV光刻，其他公司也正在開發(fā)用于芯片生產(chǎn)的EUV光刻機(jī)。

芯片制造商正在使用ASML的EUV光刻機(jī)進(jìn)行芯片生產(chǎn)，該系統(tǒng)采用13.5nm波長0.33數(shù)值孔徑透鏡，分辨率為13nm，每小時可處理135至145個晶圓，ASML計劃在2021年出貨40套EUV系統(tǒng)，并在2022年再出貨55套。

與此同時，在先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上，芯片制造商面臨一些挑戰(zhàn)。先進(jìn)邏輯工藝在晶圓廠中可能有600到1000道甚至更多步驟，每一步都可能出現(xiàn)問題，導(dǎo)致芯片出現(xiàn)缺陷，因此，芯片制造商在晶圓廠中需要檢測和計量設(shè)備，檢測系統(tǒng)發(fā)現(xiàn)晶圓上的缺陷，計量工具測量結(jié)構(gòu)。

這是一個復(fù)雜的過程。例如，原子力顯微鏡（AFM）是晶圓廠中使用的一種計量工具類型。“使用AFM，我們可以在整個晶圓的不同芯片和裸片上檢測大約50微米的區(qū)域，關(guān)鍵應(yīng)用之一是查看頂線粗糙度——能夠?qū)⑦@些印制圖案中的斷線和缺陷與之后的缺陷相關(guān)聯(lián)，”Bruker高級應(yīng)用工程師Sean Hand說道。

缺陷可能會出現(xiàn)在其他地方，在操作中，EUV掃描儀應(yīng)該在芯片中創(chuàng)建各種圖案，例如微小的接觸孔、線條和通孔，并且具有良好的均勻性。但有時，掃描儀可能無法圖案化所需線條，出現(xiàn)換行符，無法打印每一個接觸孔，出現(xiàn)缺失接觸，其他情況下，該過程還會導(dǎo)致一個或多個孔合并，出現(xiàn)“接吻接觸”（kissing contacts）。

換行符、缺失接觸和接吻接觸都被認(rèn)為是隨機(jī)效應(yīng)引起的缺陷，另一個隨機(jī)效應(yīng)是線邊緣粗糙度（LER）。LER被定義為特征邊緣與理想形狀的偏差，不隨特征大小而縮放，因此是有問題的。

TEL的關(guān)鍵工藝工程師 Charlotte Cutler在一篇論文中說：“隨著 ArFi 和極紫外光刻中線條關(guān)鍵尺寸減小，從這些線條測量的粗糙度的大小可能是圖案線寬的很大一部分。” DuPont 和 Fractilia 也為這項工作做出了貢獻(xiàn)。

許多人將隨機(jī)缺陷歸咎于光刻膠，但光刻膠并不是唯一的問題，另外，所有隨機(jī)缺陷都是有問題的?！袄纾绻覀儾荒苁刮覀兊奶匦宰銐蚱交?，那么我們的晶體管就會有太多的漏電流，其性能就會很差，” Fractilia的Mack說。

圖2：Fractilia:技術(shù)檢測芯片中出現(xiàn)的缺陷。來源：Fractilia

相比193nm光刻機(jī)，EUV光刻機(jī)隨機(jī)缺陷更嚴(yán)重

隨機(jī)性引起缺陷的根本原因可以追溯到EUV過程本身，該過程從晶圓廠下方的激光單元開始。首先，激光脈沖被發(fā)射，然后進(jìn)入晶圓廠EUV掃描儀。

與此同時，掃描儀中，一個小裝置高速滴落微小的錫滴，激光脈沖中微小的錫滴產(chǎn)生光子，光子在掃描儀內(nèi)的幾個鏡子上反射，撞擊晶圓上的抗蝕劑，化學(xué)放大抗蝕劑（CAR）和金屬氧化物抗蝕劑是兩種常見的EUV抗蝕劑類型。

抗蝕劑有助于在芯片上形成所需的圖案，盡管這是一個復(fù)雜的過程?！霸诠饪讨?，晶圓片上涂有一種稱為光刻膠的光敏材料，一些地方暴露光刻膠，一些地方不暴露，光透過掩模板，蝕刻掉暴露的區(qū)域，而覆蓋的區(qū)域仍然受到保護(hù)（在正性光刻膠的情況下），最終得到特征圖案，其尺寸和密度由原始光刻膠圖案決定，將器件設(shè)計復(fù)制到晶圓上的薄膜上，” Lam Research副總裁 Richard Wise在博客中解釋道。

“當(dāng)光子擊中抗蝕劑時，會引發(fā)連鎖反應(yīng)，改變材料結(jié)構(gòu)，使其更易溶解，以便在隨后的顯影步驟中被沖走。光子被光刻膠吸收后產(chǎn)生電子，電子產(chǎn)生次級電子，次級電子集中光酸產(chǎn)生劑，產(chǎn)生光酸，但光刻膠經(jīng)過烘烤后，光酸將通過材料進(jìn)行擴(kuò)散?！?/p>

更復(fù)雜的是，基于能量與波長的基本關(guān)系：波長越小，光子能量越大，EUV單光子的能量是193nm波長單光子能量的14倍，因此光源總功率一定下，從光源發(fā)射出的光子數(shù)量則會減少，完成一次曝光所消耗的光子數(shù)目隨之減少，在相同的曝光下，EUV的光子數(shù)量要少14倍。

這相當(dāng)于，假設(shè)您有20美元，可以是2000個便士幣，同時也是80個面值為25美分的硬幣，那么一個面值為25美分的硬幣相當(dāng)于一個便士幣的25倍。

光子也是如此，假設(shè)在一個插圖中，便士幣代表193nm的光子，而25美分的硬幣代表EUV光子，便士幣的光子數(shù)量更多。

在光刻工藝中，其想法是產(chǎn)生盡可能多的光子。理論上，這可以確保您以較少的變化在芯片上圖案化所需特征?！耙虼?，光子數(shù)量越大，作為平均值的一部分變化就越小，”Fractilia 的 Mack 說。“因此，光子數(shù)量越少，變化就越大，這就是所謂的光量子散射噪聲。”

基本上，193nm光刻掃描儀以更少的能量產(chǎn)生更多的光子。相比之下，EUV產(chǎn)生的光子更少，這意味著該過程中存在更大的統(tǒng)計變化概率。

在另一個例子中，假設(shè)一個芯片有許多微小的立方體區(qū)域?！叭缓?，您會看到該立方體中有多少光刻膠光敏部分的分子，以及該立方體中吸收了多少光子，”麥克說。

理想情況下，光子將均勻地分散和被吸收在每個立方體區(qū)域中，但實(shí)際情況并非如此，假設(shè)48個EUV光子可能會被一個立方體吸收。在下一個立方體中，可能會變成36個光子被吸收，這是一個隨機(jī)變化。

更加復(fù)雜的是，每個節(jié)點(diǎn)的特征尺寸都較小。因此，您有一個更小的立方體區(qū)域，且光子的數(shù)量更少，這意味著更高的隨機(jī)概率。

那么這一切在晶圓廠中是如何進(jìn)行的呢？前文所述，芯片制造商使用單一圖案化方法在 7nm 處插入 EUV。在單次圖案化中，您將特征圖案放在一個掩模上，然后使用單次光刻曝光將它們打印在晶圓上。最初，芯片制造商希望使用劑量為 20 mJ/cm2 的EUV 抗蝕劑。

“劑量是光刻膠在光刻曝光系統(tǒng)曝光時所承受的能量（每單位面積），”麥克解釋說。

在較低劑量 (20mJ/cm2) 下，芯片制造商可以以高吞吐量打印精細(xì)特征。但是較低的劑量也意味著更少的光子，以及更高的隨機(jī)概率。

因此，芯片制造商在 7nm 處使用更高的劑量，大約為 40mJ/cm2及以上，但也有一些權(quán)衡。更高的劑量會轉(zhuǎn)化為更多的光子，但掃描儀的吞吐量會受到影響。

同時，在 7nm 處，EUV 單次圖案化用于打印間距從38nm到36nm特征圖案。但是單圖案EUV在 32nm 到 30nm 間距達(dá)到了它的極限。

超過 30nm 間距，則需要 EUV 雙圖案化，這屬于5nm和3nm節(jié)點(diǎn)。雙圖案 EUV需要將芯片圖案分成兩個掩模，然后將每一層打印為單獨(dú)的層。

EUV 雙重圖案化更昂貴，因為該過程中有更多步驟。另一方面，您可以使用更高的劑量打印更大的特征，從而減少隨機(jī)效應(yīng)。

“隨機(jī)性仍然是一個問題，但 EUV 雙重模式緩解了其中的一些擔(dān)憂，”Lam的Wise說?！癊UV 雙圖案化雖然成本更高，但其優(yōu)勢在于使 EUV 能夠以更易于管理的間距運(yùn)行。例如，如果您想打印 30nm 間距線，則可以使用直接打印來完成。但是隨機(jī)性是一個重大挑戰(zhàn)，因為隨機(jī)性中最重要的因素是CD或正在打印的特征的大小。通過打印更大的尺寸，您基本上可以在給定的特征中捕獲更多的光子，并且隨機(jī)性得到改善。因此，您的權(quán)衡是在 EUV 雙重圖案的成本與隨機(jī)性改進(jìn)之間進(jìn)行權(quán)衡?！?/p>

預(yù)測和定位EUV缺陷的N種方法

如今，芯片制造商正在研發(fā)5nm光刻機(jī)，也可以用在3nm以及更高級節(jié)點(diǎn)的芯片制造?！霸瓌t上，間距越小，隨機(jī)性越大，解決這些問題的挑戰(zhàn)性也越大，”Imec高級光刻項目主管Kurt Ronse說。

另一方面，業(yè)界已經(jīng)改進(jìn)了EUV抗蝕劑和工藝?！皬?nm到5nm到3nm的時間范圍內(nèi)，我們建立更好的理解和材料可用性，意味著5nm和3nm的缺陷正在下降，從而同提高量產(chǎn)水平，”Ronse說。

盡管如此，定位和預(yù)測芯片中隨機(jī)效應(yīng)引起的缺陷仍然是必不可少的，在晶圓廠中，有許多方法可以定位這些缺陷，包括光學(xué)檢測、電子束技術(shù)和電氣測試，還有各種軟件工具。

多年來，芯片制造商一直依靠兩種設(shè)備——電子束和光學(xué)檢測系統(tǒng)——來發(fā)現(xiàn)芯片中的缺陷。光學(xué)檢測系統(tǒng)是晶圓廠的助力工具，在操作中，晶圓片被插入監(jiān)測系統(tǒng)中，光源產(chǎn)生照亮晶圓片的強(qiáng)光，收集光并數(shù)字化圖像。該系統(tǒng)拍攝裸片時，將其與沒有缺陷的芯片進(jìn)行比較。

光學(xué)檢測系統(tǒng)不僅用于發(fā)現(xiàn)常見的物理缺陷，還用于定位EUV隨機(jī)引起的缺陷，與其他技術(shù)相比有幾個優(yōu)點(diǎn)。

“隨著生產(chǎn)實(shí)施和抗蝕能力的提高，隨機(jī)引起的缺陷率得到顯著改善，但它仍然存在?！盞LA過程控制解決方案主管Andrew Cross說：“隨機(jī)效應(yīng)引起的缺陷，無論圖案類型如何都可能發(fā)生。我們看到傳統(tǒng)的CD和較新的熱點(diǎn)電子束計量都無法在如此低的缺陷密度范圍內(nèi)單獨(dú)標(biāo)記這些缺陷。這推動了對大面積和高覆蓋率檢測的需求，并具有捕捉關(guān)鍵圖案缺陷的敏感性——光學(xué)檢測系統(tǒng)支持的要求，特別是寬帶等離子光學(xué)檢測?！?/p>

隨機(jī)效應(yīng)的本質(zhì)是隨機(jī)，往往以最高頻率影響弱模式?！?strong>因此，需要有效的進(jìn)程窗口發(fā)現(xiàn)是至關(guān)重要的，”Cross說：“進(jìn)程窗口通常能夠識別在焦點(diǎn)和劑量方面最薄弱的結(jié)構(gòu)，由于一個特定結(jié)構(gòu)通常在一個設(shè)計中重復(fù)數(shù)千或數(shù)萬次，因此預(yù)測哪個可能由于設(shè)計本身、掩膜或其他工藝交互而失敗，跨芯片或跨晶圓，同樣需要高覆蓋率的光學(xué)檢測技術(shù)。

隨機(jī)性通常發(fā)生在系統(tǒng)學(xué)單獨(dú)定義的過程窗口內(nèi)，電子束或光學(xué)監(jiān)測都可以提供有效的解決方案，具體取決于隨機(jī)性的水平及其對特定設(shè)計的影響。在這個發(fā)現(xiàn)過程中，我們可以嘗試區(qū)分隨機(jī)性和純系統(tǒng)缺陷。系統(tǒng)性通常影響設(shè)計結(jié)構(gòu)中的同一點(diǎn)，例如，特定的角點(diǎn)或線端。隨機(jī)變量影響最普遍的弱結(jié)構(gòu)，但它們不會影響設(shè)計結(jié)構(gòu)鐘的同一點(diǎn)。準(zhǔn)確的基于設(shè)計的分塊有助于區(qū)分隨機(jī)性和系統(tǒng)性?！?/p>

除了隨機(jī)性的檢查和經(jīng)驗發(fā)現(xiàn)之外，模擬還可以成為預(yù)測隨機(jī)性的關(guān)鍵推動因素。“至于通過模擬預(yù)測隨機(jī)性，有效且準(zhǔn)確的模型是最大的挑戰(zhàn)。基于模型的全芯片隨機(jī)缺陷率預(yù)測可能是一種有效的策略，這取決于準(zhǔn)確性和速度。這里的挑戰(zhàn)是保持基于物理模型的準(zhǔn)確性，并具有足夠的吞吐量來覆蓋設(shè)備，”Cross 說。

光學(xué)檢測也有一些優(yōu)勢。“光學(xué)檢測的優(yōu)勢在于它可以在短時間內(nèi)掃描完整的晶圓。通過這種方式，可以測量每平方厘米的缺陷數(shù)，因此芯片制造商可以估算其芯片的良率，”Imec的Ronse說。“光學(xué)檢測的分辨率可能不足以捕捉最小的缺陷，尋找換行符是一項挑戰(zhàn)?！?/p>

同時，還有其他方法可以發(fā)現(xiàn)芯片中隨機(jī)效應(yīng)引起的缺陷，即使用電子束技術(shù)的工具，例如 CD-SEM 和大規(guī)模CD計量。

一些供應(yīng)商已經(jīng)開發(fā)了大量的CD計量工具。基本上，該工具是具有計量功能的增強(qiáng)型電子束檢測系統(tǒng)，它們使用戶能夠在更大的視野中發(fā)現(xiàn)缺陷。

在電子束檢測中，晶圓片被裝入系統(tǒng)，該系統(tǒng)發(fā)出電子束，與被掃描材料中的電子相互作用。這會發(fā)送回映射的信號。電子束檢測具有比光學(xué)更好的分辨率，但速度較慢。

晶圓廠設(shè)備供應(yīng)商 Tasmit 是最新一家開發(fā)大規(guī)模CD計量系統(tǒng)的公司。Tasmit的新工具通過三個步驟識別EUV工藝中的缺陷。

首先，將工具設(shè)置為SEM模式；然后，它執(zhí)行檢查和計量功能以從晶圓片收集缺陷和CD數(shù)據(jù)；最后，進(jìn)行大規(guī)模檢查和場內(nèi)CD計量步驟。

使用16μm檢查模式，可實(shí)現(xiàn)2.6 hr/mm2 的吞吐量?！拔覀円呀?jīng)在 32 納米線或間距圖案上顯示了平均CD和斷裂類型缺陷率之間的高度線性相關(guān)性。此外，預(yù)計缺陷率低至0.89個缺陷/ mm2，”來自Tasmit的 Seulki Kang 在一篇論文中說。Imec 為這項工作做出了貢獻(xiàn)。

還有其他方法。在最近的一篇論文中，ASML描述了一種新的物理隨機(jī)邊緣放置誤差(SEPE) 模型的開發(fā)，這與其電子束檢測工具一起用于定位缺陷。

SEPE模型包含多個影響輪廓不確定性的因素，包括光信號分布、光子和光酸化學(xué)動力學(xué)、抗蝕劑分布和工藝窗口。

使用這個模型，光刻模擬在整個芯片設(shè)計中運(yùn)行。然后，生成隨機(jī)變化模型?！案鶕?jù)模擬的 SEPE，計算每個關(guān)鍵切割線位置的失效概率。每個模式組的失敗概率定義為總體和缺陷概率的乘積。模式失效概率用于通過對缺陷嚴(yán)重性進(jìn)行排序來識別頂級熱點(diǎn)，”來自 ASML 的 ChangAn Wang 在最近的一篇論文中說。“然后，頂部熱點(diǎn)的位置用于指導(dǎo)檢測工具查找晶圓上的缺陷并驗證故障概率預(yù)測?！?/p>

與此同時，多年來，臨界尺寸掃描電子顯微鏡 (CD-SEM) 一直是晶圓廠的主要計量工具。CD-SEM 還用于測量芯片中的 LER。

CD-SEM 的工作方式類似于電子束工具，可以有許多應(yīng)用。但是對于 LER 測量，CD-SEM 有時容易在結(jié)果上出現(xiàn)錯誤偏差。

最近，F(xiàn)ractilia 推出了一種軟件工具來克服這些測量 LER 的問題，該工具稱為 MetroLER，可與來自不同供應(yīng)商的 CD-SEM 協(xié)同工作。

Fractilia 的技術(shù)分離了由偏差引起的 CD-SEM 錯誤。然后，它使用稱為功率譜密度 (PSD) 的技術(shù)預(yù)測粗糙度的影響?！癙SD 是一種數(shù)學(xué)技術(shù)，用于統(tǒng)計表征粗糙邊緣，”Fractilia 的 Mack 解釋說。

Fractilia現(xiàn)在正在解決另一個圖案化挑戰(zhàn)——接觸孔。在最近的一篇論文中，F(xiàn)ractilia和 Imec描述了使用 MetroLER 分析接觸孔的自動化方法的開發(fā)。

在一項研究中，研究人員分析了間距從 46nm到 56nm的孔。“使用MetroLER實(shí)現(xiàn)了自動化分解步驟的目標(biāo)，從而減少了花費(fèi)的時間和出錯的可能性，”Imec的研究員Joren Severi 說。

同時，還有另一種尋找隨機(jī)缺陷的解決方案——電氣測試。為此，您可以在結(jié)構(gòu)上圖案化接觸，然后對結(jié)構(gòu)進(jìn)行電氣測試。

“這些是常規(guī)的在線電氣測試，如果某些線路斷線或橋接，測得的電阻會表明存在故障?？梢源竺娣e覆蓋，測量速度非?？?，”Imec的Ronse說。

結(jié)論

EUV很重要，它使行業(yè)能夠在下一個節(jié)點(diǎn)對設(shè)備進(jìn)行模式化。但是，有時EUV會出現(xiàn)缺陷和故障。因此，從一開始就采取預(yù)防措施很重要。

雷鋒網(wǎng)編譯，原文作者M(jìn)ark LaPedus。雷鋒網(wǎng)雷鋒網(wǎng)

原文鏈接：https://semiengineering.com/finding-predicting-euv-stochastic-defects/

類似于著名的生理學(xué)家伊萬·巴甫洛夫（Ivan Pavlov）將使狗與食物關(guān)聯(lián)起來，美國西北大學(xué)（Northwestern University）和香港大學(xué)的研究人員成功地使光線和壓力的反應(yīng)形成關(guān)聯(lián)。

這項研究在4月30日發(fā)表在《自然通訊》（Nature Communications）雜志。

該設(shè)備的秘密在于其新穎的有機(jī)電化學(xué)“突觸晶體管”，該晶體管可以像人的大腦一樣同時處理和存儲信息。研究人員證明，該晶體管可以模仿人類大腦中突觸的短期和長期可塑性，并隨著時間的推移而學(xué)習(xí)。

新型晶體管和電路具有類似大腦的能力，可以克服傳統(tǒng)計算的局限性，包括兼顧能耗和性能，以及多任務(wù)執(zhí)行的能力。這種類似大腦的設(shè)備還具有更高的容錯能力，即使某些組件出現(xiàn)故障，也可以繼續(xù)平穩(wěn)運(yùn)行。

 “盡管現(xiàn)代計算機(jī)非常出色，但人腦在某些復(fù)雜的，非結(jié)構(gòu)化的任務(wù)（例如模式識別、運(yùn)動控制和多傳感器集成）中可以輕松勝過計算機(jī)?！盢orthwestern的資深作者喬納森·里夫奈（Jonathan Rivnay）表示： “這要?dú)w功于突觸的可塑性，它是大腦計算能力的基本組成部分。這些突觸使大腦能夠以高度并行，容錯和節(jié)能的方式工作。在我們的工作中，我們證明了模仿生物突觸關(guān)鍵功能的有機(jī)塑料晶體管?！?/p>

Rivnay是西北麥考密克工程學(xué)院的生物醫(yī)學(xué)工程助理教授，他與香港大學(xué)機(jī)械工程學(xué)副教授Paddy Chan共同領(lǐng)導(dǎo)了這項研究。Rivnay小組的博士后研究員Xudong Ji是該論文的第一作者。

現(xiàn)有計算系統(tǒng)的問題

常規(guī)的數(shù)字計算系統(tǒng)具有獨(dú)立的處理和存儲單元，從而導(dǎo)致數(shù)據(jù)密集型任務(wù)消耗大量能量。受人腦中組合的計算和存儲過程的啟發(fā)，研究人員近年來尋求開發(fā)出更像人腦那樣運(yùn)行的計算機(jī)，并配備了功能類似于神經(jīng)元網(wǎng)絡(luò)的設(shè)備。

 “我們當(dāng)前的計算機(jī)系統(tǒng)的工作方式是將內(nèi)存和邏輯物理分開。”Ji說： “執(zhí)行計算需要將該信息發(fā)送到存儲單元，然后，每當(dāng)您要檢索該信息時，都必須對其進(jìn)行調(diào)用。如果能夠?qū)⑦@兩個單獨(dú)的功能結(jié)合在一起，則可以節(jié)省空間并節(jié)省能源成本。”

通過將單個突觸晶體管連接到神經(jīng)形態(tài)電路中，研究人員證明了它們的設(shè)備可以模擬聯(lián)想學(xué)習(xí)。來源：西北大學(xué)

當(dāng)前，記憶電阻器或“憶阻器”是最先進(jìn)的技術(shù)，可以執(zhí)行組合的處理和記憶功能的器件，但憶阻器的開關(guān)成本高昂且生物相容性較差。這些缺點(diǎn)導(dǎo)致研究人員找到了突觸晶體管，特別是有機(jī)電化學(xué)突觸晶體管，該晶體管以低電壓，連續(xù)可調(diào)的存儲方式運(yùn)行，并且對生物學(xué)應(yīng)用具有高度的兼容性。盡管如此，挑戰(zhàn)仍然存在。

Rivnay說：“即使是高性能的有機(jī)電化學(xué)突觸晶體管，也要求將寫操作與讀操作分離。因此，如果要保留內(nèi)存，則必須將其與寫過程斷開連接，這會使集成到電路或系統(tǒng)中的問題進(jìn)一步復(fù)雜化?！?/p>

突觸晶體管如何工作？

為了克服這些挑戰(zhàn)，西北大學(xué)和香港大學(xué)團(tuán)隊在有機(jī)電化學(xué)晶體管中優(yōu)化了一種導(dǎo)電塑料材料，可以捕獲離子。在大腦中，突觸是一種結(jié)構(gòu)，神經(jīng)元可以使用稱為神經(jīng)遞質(zhì)的小分子，通過該結(jié)構(gòu)將信號傳輸?shù)搅硪粋€神經(jīng)元。在突觸晶體管中，離子的行為類似于神經(jīng)遞質(zhì)，在末端之間發(fā)送信號以形成人工突觸。通過保留捕獲離子的存儲數(shù)據(jù)，晶體管可以記住以前的活動，從而可以長期保持可塑性。

研究人員通過將單個突觸晶體管連接到神經(jīng)形態(tài)電路中以模擬聯(lián)想學(xué)習(xí)，展示了其設(shè)備的突觸行為。他們將壓力和光傳感器集成到電路中，并訓(xùn)練電路將兩個不相關(guān)的物理輸入（壓力和光）彼此關(guān)聯(lián)。

聯(lián)想學(xué)習(xí)中最著名的例子也許是巴甫洛夫的狗，它在遇到食物時會自然流口水。在對狗進(jìn)行訓(xùn)練使鈴鐺與食物相關(guān)聯(lián)之后，當(dāng)狗聽到鈴鐺的聲音時也開始流口水。對于神經(jīng)形態(tài)電路，研究人員通過用手指按壓施加壓力來激活電路。為了調(diào)節(jié)電路使光與壓力相關(guān)聯(lián)，研究人員首先對LED燈泡施加了脈沖光，然后立即施加了壓力。在這種情況下，壓力是食物，光是鈴聲，設(shè)備的相應(yīng)傳感器檢測到兩個輸入。

經(jīng)過一個訓(xùn)練周期后，電路在光和壓力之間建立了初始連接。經(jīng)過五個訓(xùn)練周期后，電路將光與壓力顯著關(guān)聯(lián)。光單獨(dú)能夠觸發(fā)信號或“無條件響應(yīng)”。

未來的應(yīng)用

由于突觸電路是由柔軟的聚合物（例如塑料）制成的，因此可以很容易地在柔性電路板上制成，并且可以輕松地與活組織甚至大腦連接的設(shè)備集成，也可以集成到柔軟的可穿戴的電子設(shè)備，智能機(jī)器人和可植入設(shè)備中。

“雖然我們的成果是概念證明，但我們提出的電路可以進(jìn)一步擴(kuò)展，以包括更多的感官輸入，并與其他電子設(shè)備集成在一起，以實(shí)現(xiàn)低功耗計算?！?Rivnay說，“由于它與生物兼容，因此該設(shè)備可以直接與活組織接觸，這對于下一代生物電子學(xué)至關(guān)重要?！?span style="color: #FFFFFF;">雷鋒網(wǎng)

雷鋒網(wǎng)編譯，原文鏈接：https://techxplore.com/news/2021-04-brain-like-device-simulates-human.html 雷鋒網(wǎng)